[发明专利]一种多晶硅大坩埚及其涂层浆料、涂层制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅大坩埚，包括坩埚本体和附着于所述坩埚本体的坩埚涂层，其特征在于，所述坩埚涂层的喷涂浆料由氮化硅、水及硅溶胶制成。

2.根据权利要求1所述的多晶硅大坩埚，其特征在于，所述氮化硅的重量百分比为15%-23%、所述水的重量百分比为60%-70%、所述硅溶胶的重量百分比为15%-18%。

3.根据权利要求2所述的多晶硅大坩埚，其特征在于，所述氮化硅、水及硅溶胶的重量配比为1:4:1。

4.一种多晶硅大坩埚涂层，其特征在于，所述坩埚涂层的喷涂浆料由氮化硅、水及硅溶胶制成。

5.根据权利要求4所述的多晶硅大坩埚涂层，其特征在于，所述氮化硅的重量百分比为15%-23%、所述水的重量百分比为60%-70%、所述硅溶胶的重量百分比为15%-18%。

6.根据权利要求5所述的多晶硅大坩埚涂层，其特征在于，所述氮化硅、水及硅溶胶的重量配比为1:4:1。

7.一种多晶硅大坩埚涂层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）制备浆料：

称取一定重量的氮化硅，加入水与硅溶胶的混合溶液中，所述氮化硅的重量百分比为15%-23%、所述水的重量百分比为60%-70%、所述硅溶胶的重量百分比为15%-18%，搅拌均匀得到多晶硅坩埚涂层喷涂浆料；

2）喷涂：

采用喷涂工艺将步骤（1）制备的多晶硅坩埚涂层喷涂浆料均匀喷在多晶硅坩埚内表面，喷涂温度为80-90℃，浆料喷口与喷涂面之间的距离范围为4cm-6cm，冷却至室温后，完成多晶硅坩埚涂层的制备。

8.根据权利要求7所述的多晶硅大坩埚涂层制备方法，其特征在于，在所述步骤（1）中连续搅拌30分钟以上，使氮化硅、水及硅溶胶充分混合。

9.根据权利要求7所述的多晶硅大坩埚涂层制备方法，其特征在于，在所述步骤（2）中喷涂的涂层厚度范围为0.5mm-1mm。

10.根据权利要求7所述的多晶硅大坩埚涂层制备方法，其特征在于，所述水为电阻率在10兆欧以上的纯水。