[发明专利]基板结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210352995.9 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103531485A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈庆盛 | 申请（专利权）人： | 旭德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 板结 制作方法 | ||
1.一种基板结构的制作方法，包括：
提供一基材，该基材具有核心层、第一图案化铜层、第二图案化铜层以及至少一导电通孔，其中该核心层具有彼此相对的第一表面与第二表面，该第一图案化铜层与该第二图案化铜层分别位于该第一表面与该第二表面上，而该导电通孔贯穿该核心层且连接该第一图案化铜层与该第二图案化铜层；
分别形成一第一防焊层与一第二防焊层于该核心层的该第一表面与该第二表面上，其中该第一防焊层与该第二防焊层分别暴露出部分该第一图案化铜层与部分该第二图案化铜层；
形成一第一金层于该第一防焊层与该第二防焊层所暴露出的该第一图案化铜层与该第二图案化铜层上；
形成一镍层于该第一金层上；以及
形成一第二金层于该镍层上。
2.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中形成该第一金属的方法包括浸镀。
3.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该第一金层的厚度介于0.02微米至0.05微米之间。
4.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中形成该镍层的方法包括还原反应。
5.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该镍层的厚度介于0.1微米至5微米之间。
6.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中形成该第二金属的方法包括浸镀。
7.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该第二金层的厚度介于0.02微米至0.2微米之间。
8.如权利要求1所述的基板结构的制作方法，其中该基材还具有至少一贯孔，该贯孔贯穿该第一图案化铜层、该核心层以及该第二图案化铜层，且该第一金层覆盖该贯孔的内壁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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