[发明专利]霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法及系统无效
申请号: | 201210352978.5 | 申请日: | 2012-09-19 |
公开(公告)号: | CN102879016A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 张周良;范忠良;蒋富根;沈文斋;朱汉平 | 申请(专利权)人: | 上海森太克汽车电子有限公司;上海德科电子仪表有限公司 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12;G01B7/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200072 上海市闸*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 霍尔 传感器 动作 释放 磁路 控制 方法 系统 | ||
1.一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法,其特征在于,所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体,所述霍尔芯片上设有感应面,所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离,所述方法包括:
当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时,调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。
2.如权利要求1所述的霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法,其特征在于,还包括当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时,调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。
3.如权利要求1所述的霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法,其特征在于,由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。
4.一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法,其特征在于,所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体,所述霍尔芯片上设有感应面,所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离,所述方法包括:
当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时,调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。
5.如权利要求4所述的霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制方法,其特征在于,由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。
6.一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制系统,其特征在于,包括霍尔传感器、位于被测物体上的剩磁物体和调节装置,其中,
所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体,所述霍尔芯片上设有感应面;
所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离;
所述调节装置,用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时,调节所述第一距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。
7.如权利要求6所述霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制系统,其特征在于,所述调节装置,还用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时,调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。
8.如权利要求6所述霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制系统,其特征在于,由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。
9.一种霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制系统,其特征在于,包括霍尔传感器、位于被测物体上的剩磁物体和调节装置,其中,
所述霍尔传感器包括相隔第一距离的霍尔芯片和永磁体,所述霍尔芯片上设有感应面;
所述霍尔传感器与被测物体上的剩磁物体的动作点的位置之间相隔第二距离;
所述调节装置,用于当所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低时,调节所述第二距离以使霍尔传感器的动作点的位置和释放点的位置保持不变。
10.如权利要求9所述霍尔传感器的动作点和释放点的磁路控制系统,其特征在于,由所述永磁体的磁钢强度误差、霍尔芯片器的参数值误差或霍尔传感器的制造安装误差中的一种或任意组合原因造成所述感应面感应到的磁感应强度过高或过低。
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