[发明专利]一种复合靶真空表面镀膜工艺

权利要求书

1.一种复合靶真空表面镀膜工艺，其特征在于：该镀膜工艺选取钛铬合金作为靶材，在真空环境下完成，其中，真空环境的真空度要求为0.2～0.9Pa，温度为0～300℃，靶电流为0～100A，脉冲偏压为0～200V，反应气体为氩气。

2.根据权利要求1所述的一种复合靶真空表面镀膜工艺，其特征在于：所述钛铬合金靶材，其组分按重量比为：40～85％的钛、10～55％的铬，余量为微量元素，所述微量元素为钼、镍、铁、碳、锰、硅、氮、钛、铜、铝、钒中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的一种金属电镀靶材，其特征在于：所述钛铬合金靶材，其组分按重量比为：钛的含量为63％、铬的含量为27％、钼的含量为5.5％、镍的含量为2.5％、铁的含量为1.75％、碳的含量为0.25％。

4.根据权利要求1所述的一种复合靶真空表面镀膜工艺，其特征在于：所述脉冲偏压的占空比为20％～90％。

5.根据权利要求1所述的一种复合靶真空表面镀膜工艺，其特征在于：靶材可设计为平面靶、弧源靶或圆柱靶；其中：靶材为平面靶时，靶电流为0～50A，电源为中频电源或直流电源；为弧源靶时，靶电流为0～100A，电源为逆变电源或直流电源；为圆柱靶时，靶电流为0～50A.电源为中频电源或直流电源。