[发明专利]一种鳍片场效应晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201210352666.4 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681339A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：
提供基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的绝缘层，该基底呈阶梯形状，具有高区和低区；
在所述绝缘层上形成硬掩膜层并平坦化；
蚀刻所述硬掩膜层和所述绝缘层，在所述基底的高区和低区分别形成至少一个沟槽，以露出所述半导体衬底；
采用半导体材料填充所述沟槽并平坦化，以形成鳍片图案；
蚀刻去除所述硬掩膜层，以形成高度不同的鳍片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底的形成方法为：提供半导体衬底，蚀刻去除部分所述半导体衬底，以形成阶梯形状的半导体衬底，接着在所述衬底上形成绝缘层，从而得到阶梯形状的基底。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述高度不同的鳍片的高度差等于蚀刻去除的所述半导体衬底的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底的形成方法为：提供半导体衬底，在所述衬底上沉积绝缘层，蚀刻去除部分所述绝缘层，以形成阶梯形状的绝缘层，从而得到阶梯形状的基底。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述高度不同的鳍片的高度差等于蚀刻去除的所述绝缘层的厚度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为氧化物。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层为SiN、A-C、BN和SiON中的一种或者多种。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，外延生长所述半导体材料填充所述沟槽，以形成鳍片图案。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，填充的所述半导体材料为Si、Si-C或Si-Ge。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不同高度的鳍片用来形成多沟道鳍片场效应晶体管。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不同高度的鳍片分别用来形成多个不同的鳍片场效应晶体管。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在露出的所述鳍片上形成环绕栅极的步骤。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述环绕栅极两侧形成源漏的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210352666.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
