[发明专利]转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，它包含：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成晶体管；

在所述晶体管上形成像素电极；

从所述衬底剥离所述晶体管和所述像素电极，以及将胶带键合到所述像素电极；

从所述像素电极剥离所述胶带；以及

在从所述像素电极剥离所述胶带后，在所述像素电极上形成EL层。

2.一种制造半导体器件的方法，它包含：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成氧化物层；

在所述氧化物层上形成晶体管；

在所述晶体管上形成像素电极；

从所述衬底剥离所述氧化物层、所述晶体管和所述像素电极，以及将胶带键合到所述像素电极；

通过紫外线辐射将所述胶带从所述像素电极剥离，以及将转移部件键合到所述氧化物层；以及

在从所述像素电极剥离所述胶带后，在所述像素电极上形成EL层。

3.一种制造半导体器件的方法，它包含：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成氧化物层；

在所述氧化物层上形成晶体管；

在所述晶体管上形成像素电极；

从所述衬底剥离所述氧化物层、所述晶体管和所述像素电极，以及将胶带和支座键合到所述像素电极；

通过紫外线辐射将所述胶带和支座从所述像素电极剥离，以及将转移部件键合到所述氧化物层；

在从所述像素电极剥离所述胶带和所述支座后，在所述像素电极上形成EL层；

在所述EL层上形成阴极；以及

在所述阴极上键合反衬底。

4.根据权利要求1-3中任何一个的制造半导体器件的方法，

其中，所述剥离层包含金属层，以及

其中，所述金属层包含选自钛、铝、钽、钨、钼、铜、铬、钕、铁、镍、钴、钌、铑、钯、锇、铱的至少一种元素。

5.根据权利要求1-3中任何一个的制造半导体器件的方法，

其中，所述剥离层包含氮化物层；以及

所述氮化物层包含选自钛、铝、钽、钨、钼、铜、铬、钕、铁、镍、钴、钌、铑、钯、锇、铱的至少一种元素。

6.根据权利要求2或3的制造半导体器件的方法，

其中，所述氧化物层包含氧化硅或金属氧化物。

7.根据权利要求1-3中任何一个的制造半导体器件的方法，

其中，所述胶带包含紫外线剥离粘合剂。

8.根据权利要求1-3中任何一个的制造半导体器件的方法，

其中，所述胶带包含热剥离粘合剂。

9.根据权利要求1-3中任何一个的制造半导体器件的方法，

其中，所述胶带包含第一粘合剂和第二粘合剂，所述第一粘合剂和所述第二粘合剂间置入第二衬底，

其中所述第一粘合剂和所述第二粘合剂的一个是热剥离粘合剂，且

其中所述第一粘合剂和所述第二粘合剂的另一个是紫外线剥离粘合剂。

10.根据权利要求3的制造半导体器件的方法，

其中，所述支座包含石英玻璃、金属或陶瓷。

11.根据权利要求2或3的制造半导体器件的方法，

其中，所述转移部件包含塑料。