[发明专利]荧光体及其制备方法、和使用该荧光体的发光装置无效
申请号: | 201210352277.1 | 申请日: | 2006-03-03 |
公开(公告)号: | CN102827603A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 永富晶;坂根坚之 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;H01L33/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 及其 制备 方法 使用 发光 装置 | ||
1.一种荧光体,由通式MmAaBbOoNn:Z表示,上述通式MmAaBbOoNn:Z中,M元素是价数为II价的1种以上的元素,A元素是价数为III价的1种以上的元素,B元素是价数为IV价的1种以上的元素,O是氧,N是氮,Z是1种以上的活化剂,其中,
在上述通式中,4.0<(a+b)/m<7.0,a/m≥0.5,b/a>2.5,n>o,n=2/3m+a+4/3b-2/3o,用波长为300nm~500nm范围的光激发时,发光光谱中的峰值波长为500nm~650nm的范围。
2.权利要求1所述的荧光体,其具有斜方晶系或单斜晶系的结晶相作为主生成相。
3.权利要求1所述的荧光体,其中,在采用CoKα射线测定的粉末X射线衍射图案中,该荧光体所含的生成相在布拉格角(2θ)为12.5~13.5°、17.0~18.0°、21.0~22.0°、22.5~23.5°、26.5~27.5°、28.5~29.5°、34.0~35.0°、35.5~36.5°、36.5~37.5°、41.0~42.0°、42.0~43.0°、56.5~57.5°、66.0~67.0°的范围具有峰。
4.权利要求1所述的荧光体,其含有19.5重量%~29.5重量%的Sr、5.0重量%~16.8重量%的Al、0.5重量%~8.1重量%的O、22.6重量%~32.0重量%的N、超过0.0且为3.5重量%以下的Ce,并且以波长350nm~500nm范围的1种以上的单色光或连续光作为激发光进行照射时,发光光谱中的峰值波长在500~600nm的范围。
5.权利要求1所述的荧光体,其含有19.5重量%~29.5重量%的Sr、5.0重量%~16.8重量%的Al、0.5重量%~8.1重量%的O、22.6重量%~32.0重量%的N、超过0.0且为3.5重量%以下的Eu,并且以波长350nm~500nm范围的1种以上的单色光或连续光作为激发光进行照射时,发光光谱中的峰值波长在550~650nm的范围。
6.权利要求4所述的荧光体,其中,发光光谱的色度(x,y)的x为0.3000~0.4500,y为0.5000~0.6000的范围。
7.权利要求5所述的荧光体,其中,发光光谱的色度(x,y)的x为0.4500~0.6000,y为0.3500~0.5000的范围。
8.权利要求1所述的荧光体,其具有[SiN4]的四面体组成网状的结构。
9.权利要求3所述的荧光体,其中,在上述主生成相的采用CoKα射线测定的粉末X射线衍射图案中,将布拉格角(2θ)在28.5°~29.5°、35.5°~36.5°、41.0°~42.0°范围的各个最大峰分别设为a、b、c,并将a对b的峰强度比作为I(a/b)、c对b的峰强度比作为I(c/b)时,符合0.20<I(a/b)、I(c/b)<1.50。
10.权利要求1所述的荧光体,其中,以波长350nm~500nm范围的单色光作为激发光进行照射时,将照射使吸收该激发光而发光的光谱中最大峰值的峰强度为最大的激发光时的该最大峰值的峰强度作为PH、将照射使吸收该激发光而发光的光谱中最大峰值的峰强度为最小的激发光时的该最大峰值的峰强度作为PL时,(PH-PL)/PH×100≤20。
11.权利要求1所述的荧光体,其中,将在25℃下以波长为300nm~500nm范围的规定单色光作为激发光进行照射时发光光谱中的最大峰值的相对强度值作为P25,将在200℃下以上述规定单色光作为激发光进行照射时的上述最大峰值的相对强度值作为P200时,(P25-P200)/P25×100≤35。
12.一种发光装置,包括权利要求1所述的荧光体以及发出350nm~500nm的第一波长的光的发光部,并且以上述第一波长的光的一部分或全部作为激发光,由上述荧光体发出与上述第一波长不同波长的光。
13.权利要求12所述的发光装置,其中,相关色温度在7000K~2500K的范围内,在波长420nm~680nm的范围具有3个以上的发光峰,且在波长420nm~680nm的范围具有不间断的连续光谱。
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