[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。

背景技术

导电薄膜电极是有机电致发光器件（OLED）的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料，由于其具有优异的光电特性，成为近年来的研究热点和前沿课题，可广泛应用于太阳能电池，LED，TFT，LCD及触摸屏等屏幕显示领域。随着器件性能要求的提高，用于作为器件阳极的透明导电膜的性能也在要求提高。对于器件出光效率的需要，很多研究机构都在设法在阳极与基板之间插入散射层。

高性能的器件，还要求阳极有较高的表面功函数，使其与其他功能层的能级相匹配，降低势垒，提高载流子注入效率，最终达到高的电光效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。

一种导电薄膜，包括层叠的GAZO层及ReO₃层，其中，GAZO层为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。

一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将GAZO靶材、ReO₃靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，GAZO靶材为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂靶材；

在所述衬底表面沉积GAZO层，沉积所述GAZO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccm~40sccm，衬底温度为250℃~750℃；

在所述GAZO层表面沉积ReO₃层，沉积所述GAZO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccm~40sccm，衬底温度为250℃~750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

在其中一个实施例中，所述GAZO层的厚度为50nm~300nm，所述ReO₃层的厚度为3nm~20nm。

在其中一个实施例中，所述GAZO靶材由以下步骤得到：按照各组份摩尔比为（0.1~10）：（0.3~15）：（75~99.6）将Ga₂O₃，Al₂O₃和ZnO粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。

在其中一个实施例中，所述ReO₃靶材由以下步骤得到：将ReO₃粉体在700℃~1100℃下烧结制成靶材。

一种有机电致发光器件的基板，包括依次层叠的衬底、GAZO层及ReO₃层，其中，GAZO层为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。

一种有机电致发光器件的基板的制备方法，包括以下步骤：

将GAZO靶材、ReO₃靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，GAZO靶材为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂靶材；

在所述衬底表面沉积GAZO层，沉积所述GAZO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccm~40sccm，衬底温度为250℃~750℃；及

在所述GAZO层表面沉积ReO₃层，沉积所述ReO₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccm~40sccm，衬底温度为250℃~750℃。

在其中一个实施例中，所述GAZO靶材由以下步骤得到：按照各组份摩尔比为（0.1~10）：（0.3~15）：（75~99.6）将Ga₂O₃，Al₂O₃和ZnO粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。