[发明专利]一种在集成电路中实现IO反向漏电检测的方法及电路

权利要求书

1.一种在集成电路中检测反向漏电的方法，其特征在于通过比较I/O端口电压与电源端口电压来判断集成电路是否产生反向漏电现象。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于在发生反向漏电时，I/O端口电压会至少高于电源端口电压一个二极管压降，通过对I/O端口电压和电源端口电压的比较，能够判断集成电路是否产生反向漏电。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于当集成电路发生反向漏电时，漏电复位信号由’0’变为’1'，在漏电复位信号变为’1’时，将集成电路停止或进行复位。

4.如权利要求1所述的在集成电路中检测反向漏电的方法不仅局限于双向输入输出端口的反向漏电检测，还同样适用于输入端口或输出端口的反向漏电检测。

5.一种在集成电路中检测反向漏电的电路，其特征在于通过器件特性和正反馈比较器对反向漏电进行检测，包括PMOS管M2，PMOS管M3，NMOS管M4，NMOS管M5，NMOS管M6，其中：

PMOS管M2的源和体端接电源端口，栅端接I/O端口，漏端接NMOS管M4的漏端和NMOS管M5的栅端；PMOS管M3的源端接I/O，体端和栅端接电源端口，漏端接NMOS管M5的漏端和NMOS管M4的栅端；NMOS管M4和NMOS管M5的体端和源端都接地，NMOS管M4的漏端和NMOS管M5的栅端连接，NMOS管M5的漏端和NMOS管M4的栅端连接；NMOS管M5的漏端作为电路的输出；NMOS管M6的源端和体端接地，栅端和漏端接在电路的输出，NMOS管M作为输出端口的下拉电阻。

6.如权利要求5所述的电路，其特征为使用电阻替代NMOS管M6实现输出端口的下拉。