[发明专利]填孔和光刻用的抗反射涂层及其制备方法有效
申请号: | 201210350991.7 | 申请日: | 2004-11-17 |
公开(公告)号: | CN103627316A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | B.李;J.肯尼迪;N.伊瓦莫托;V.卢;R.梁;M.A.弗拉德金;M.A.胡塞恩;M.D.戈德纳 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | C09D183/04 | 分类号: | C09D183/04;G03F7/09 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 万雪松 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 反射 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种吸收组合物,包含
由至少一种无机-基化合物和至少一种吸收化合物形成的吸收材料;
和
至少一种材料改性剂,其中该至少一种材料改性剂包含至少一种氮基基团或取代基。
2.权利要求1的吸收组合物,其中该至少一种氮基基团或取代基包含铵基团、胺基团或其组合。
3.权利要求1的组合物,其中该吸收化合物包含至少一个苯环和选自烷氧基团、羟基基团、胺基团、羧酸基团、取代的甲硅烷基基团或其组合的反应性基团。
4.权利要求1的组合物,其中该吸收化合物包含2,6-二羟蒽醌、9-蒽甲酸、9-蒽甲醇、茜素、醌茜、樱草灵、2-羟基-4-(3-三乙氧基甲硅烷基丙氧基)-二苯基甲酮、玫瑰酸、三乙氧基甲硅烷基丙基-1,8-萘二甲酰亚胺、9-蒽羧基烷基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、10-菲羧基-甲基三乙氧基硅烷、4-苯基偶氮酚、4-乙氧基苯基偶氮苯-4-羧基-甲基三乙氧基硅烷、4-甲氧基苯基偶氮苯-4-羧基-甲基三乙氧基硅烷或其混合物。
5.权利要求1的组合物,其中该吸收材料包含硅-基化合物。
6.权利要求5的组合物,其中该硅-基化合物、该吸收材料或其组合是聚合物。
7.权利要求1的组合物,其中该至少一种无机基化合物包含甲基硅氧烷、MTEOS、甲基硅倍半氧烷、苯基硅氧烷、苯基硅倍半氧烷、乙烯基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷、丙烯酸类硅氧烷聚合物、甲基苯基硅氧烷、甲基苯基硅倍半氧烷、聚碳硅烷、硅酸盐聚合物、硅氮烷聚合物或其混合物。
8.权利要求7的组合物,其中该至少一种无机基化合物还包含氢硅氧烷、氢硅倍半氧烷、有机氢化硅氧烷、硅倍半氧烷-基化合物、硅酸衍生物和有机氢化硅倍半氧烷聚合物;氢硅倍半氧烷与烷氧基氢化硅氧烷的共聚物、羟基氢化硅氧烷、硅酸的衍生物或其混合物。
9.权利要求1的组合物,其中该至少一种材料改性剂包含至少一种胺盐。
10.权利要求1的组合物,其中至少一种材料改性剂包含TMAH、CTAH、CTAA、TBAA、TBAH、APTEOS基化合物、三氟甲磺酸铵、铵nfbs、甲磺酸铵、硝酸铵或其组合。
11.权利要求10的组合物,其中该APTEOS基化合物包含APTEOS三氟甲磺酸盐、APTEOS甲磺酸盐、APTEOS硝酸盐、APTEOS nfbs或其组合。
12.权利要求1的组合物,其中至少一种材料改性剂还包括含烷氧基或羟基的硅烷单体、含乙烯基的硅烷单体、丙烯酸化的硅烷单体或氢化甲硅烷化合物。
13.包含权利要求1的组合物和至少一种溶剂或溶剂混合物的涂料溶液。
14.权利要求13的涂料溶液,其中该至少一种溶剂或溶剂混合物包括至少一种醇、至少一种酮、丙二醇甲醚乙酸酯、至少一种醚、水或其组合。
15.权利要求14的涂料溶液,其中该至少一种醇包含乙醇、异丁醇、正丙氧基丙醇、环戊醇、异戊醇、叔戊醇、1-辛醇、1-甲氧基-2-丙醇或其组合。
16.权利要求13的涂料溶液,其中该溶液是0.5-20wt%吸收组合物。
17.由权利要求1的吸收组合物形成的膜。
18.权利要求17的膜,其中该膜被设计成至少部分地被除掉。
19.权利要求17的膜,其中该膜在365nm或小于365nm的波长吸收光。
20.一种吸收组合物,包含:
由至少一种无机-基化合物和至少一种吸收化合物形成的吸收材料;
和
选自以下的成分:TMAH、CTAH、CTAA、TBAA、TBAH、APTEOS基化合物或其组合。
21.权利要求20的吸收组合物,其中该吸收材料是聚合物。
22.权利要求1的组合物,其中该至少一种吸收化合物包含苯基硅氧烷、苯基硅倍半氧烷、苯基三乙氧基硅烷、甲基苯基硅氧烷、甲基苯基硅倍半氧烷、硅酸盐聚合物、硅氮烷聚合物或其混合物。
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