[发明专利]晶圆加工室灯模块的实时校准

权利要求书

1.一种设备，包括：

晶圆加工室；

设置在不同区域中并可操作以加热位于所述晶圆加工室内的晶圆的不同部分的辐射加热元件；

设置在所述晶圆加工室外面并可操作以监测设置在不同区域中的所述辐射加热元件的能量的传感器；以及

配置成利用所述传感器表征在不同区域中设置的所述辐射加热元件并为设置在不同区域中的所述辐射加热元件提供校准的计算机，从而使得整个晶圆表面保持基本均一的温度分布。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述辐射加热元件的不同区域是四个不同的区域，其中所述传感器对应于所述辐射加热元件的四个不同的区域而设置在四个不同的区域中。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述辐射加热元件包括：

设置在所述晶圆之上位于第一区域中并可操作以加热所述晶圆内部的多个第一辐射加热元件；

设置在所述晶圆之上位于第二区域中并可操作以加热所述晶圆外部的多个第二辐射加热元件；

设置在所述晶圆之下位于第三区域中并可操作以加热所述晶圆内部的多个第三辐射加热元件；以及

设置在所述晶圆之下位于第四区域中并可操作以加热所述晶圆外部的多个第四辐射加热元件。

4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述传感器包括：

可操作以监测来自所述多个第一辐射加热元件的能量的多个第一传感器；

可操作以监测来自所述多个第二辐射加热元件的能量的多个第二传感器；

可操作以监测来自所述多个第三辐射加热元件的能量的多个第三传感器；以及

可操作以监测来自所述多个第四辐射加热元件的能量的多个第四传感器。

5.一种晶圆加工系统，包括：

晶圆加工室；

多个顶部辐射加热元件和多个底部辐射加热元件；

多个顶部传感器和多个底部传感器；

至少一种与所述晶圆加工室连接并可操作以对位于所述晶圆加工室内的晶圆实施至少晶圆加工工艺的系统，以及

在由至少一种所述系统实施的晶圆加工工艺中，通过利用所述多个顶部传感器和所述多个底部传感器产生的测量值，可操作以表征所述多个顶部辐射加热元件和所述多个底部辐射加热元件，并基于所述表征为所述多个顶部辐射加热元件和所述多个底部辐射加热元件提供校准的校准模块。

6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述多个顶部辐射加热元件设置在中心顶部区域和边缘顶部区域中，并且

其中，所述多个底部辐射加热元件设置在中心底部区域和边缘底部区域中。

7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述多个顶部传感器设置在所述中心顶部区域和所述边缘顶部区域中，并且

其中，所述多个底部传感器设置在所述中心底部区域和所述边缘底部区域中。

8.一种方法，包括：

提供晶圆加工室；

提供在所述晶圆加工室外面的不同区域中设置的并可操作以在晶圆加工工艺中加热在所述晶圆加工室内设置的产品晶圆的不同部分的辐射加热元件；

提供在所述晶圆加工室外面的不同区域中设置的并可操作以在晶圆加工工艺中监测所述辐射加热元件产生的热量的传感器；以及

实施实时校准工艺，所述实时校准工艺表征所述辐射加热元件的响应变化，从而使设置在所述晶圆加工室内的所述产品晶圆的整个表面保持基本均一的温度分布。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在实施所述实时校准工艺之前，实施初始基本校准工艺从而初始表征所述辐射加热元件，进而实现设置在所述晶圆加工室内的测试晶圆的整个表面的基本均一的温度分布。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，实施所述实时校准工艺包括：

使用所述多个传感器监测由所述多个辐射加热元件在所述晶圆加工工艺中产生的热量；

表征所述多个辐射加热元件，所述表征包括确定所述多个辐射加热元件随着时间的响应变化；以及

提供基于所述多个辐射加热元件的所述表征的实时校准。