[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有用于源区/漏区的凹槽；以及

SiGe种子层，所述SiGe种子层同时形成在所述凹槽的侧壁和底壁上，

其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的厚度是不均匀的，以及所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度在对应于沟道区的位置处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凹槽的底壁上的所述SiGe种子层的厚度是均匀的。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度与所述凹槽的底壁上的所述SiGe种子层的厚度之比为1:2.5至1:1。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度大于等于10nm。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度为15nm至16nm。

6.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中，所述凹槽的底壁上的所述SiGe种子层的厚度为15nm至25nm。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，所述SiGe种子层中的Ge的原子百分比含量为5%至20%。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，还包括SiGe主体层，其中，所述SiGe主体层形成在所述凹槽的侧壁和底壁上的所述SiGe种子层上，以及所述SiGe主体层中掺杂有硼。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括帽层，其中，所述帽层形成在所述SiGe主体层上，所述帽层中的Ge的原子百分比含量为0%至10%，以及所述SiGe主体层中的Ge的原子百分比含量为25%至40%。

10.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底中形成用于源区/漏区的凹槽；以及

在所述凹槽的侧壁和底壁上同时形成SiGe种子层，

其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的厚度是不均匀的，以及所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度在对应于沟道区的位置处。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述凹槽的底壁上的所述SiGe种子层的厚度是均匀的。

12.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度与所述凹槽的底壁上的所述SiGe种子层的厚度之比为1:2.5至1:1。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度大于等于10nm。

14.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法，其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度为15nm至16nm。

15.根据权利要求11或12所述的制造半导体器件的方法，其中，所述凹槽的底壁上的所述SiGe种子层的厚度为15nm至25nm。

16.根据权利要求10至12中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，所述SiGe种子层中的Ge的原子百分比含量为5%至20%。

17.根据权利要求10至12中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，通过具有以下参数的选择性外延工艺形成所述SiGe种子层：

温度为500°C至800°C；

压强为1Torr至100Torr；以及

SiH₄或SiH₂Cl₂、GeH₄、HCl的气体流率为1sccm至1000sccm，H₂的气体流率为0.1slm至50slm。

18.根据权利要求17所述的制造半导体器件的方法，其中，通过具有以下参数的选择性外延工艺形成所述SiGe种子层：

温度为620°C至650°C；

压强为5Torr至15Torr；以及

HCl的气体流率为25sccm至35sccm。