[发明专利]具有低密勒电容的半导体元件的制作方法无效
| 申请号： | 201210350105.0 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103594348A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 林永发;张家豪 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 低密勒 电容 半导体 元件 制作方法 | ||
1.一种具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，包含：
提供一第一导电型的半导体基底；
于所述半导体基底上形成一外延层；
于所述外延层中形成至少一栅极沟槽；
于所述栅极沟槽的侧壁形成一侧壁子；
经由所述栅极沟槽的底部刻蚀所述外延层以形成一凹陷沟槽；
进行一热氧化工艺以经由所述凹陷沟槽氧化所述外延层，如此形成一氧化层填满所述凹陷沟槽；
去除所述侧壁子；
于所述栅极沟槽的侧壁形成一栅极氧化层；以及
于所述栅极沟槽中形成一栅极。
2.根据权利要求1所述的具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，所述热氧化工艺是在温度介于800-1200℃，以水蒸气、氧气，或内含氯化氢或氮气的水蒸气或氧气，在工艺压力介于600-760托的条件下进行。
3.根据权利要求1所述的具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，所述外延层具有所述第一导电型。
4.根据权利要求1所述的具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，于所述栅极沟槽中形成所述栅极之后，另包含有以下步骤：
于所述外延层中形成一具有一第二导电型的离子井；以及
于所述离子井中形成至少一具有所述第一导电型的源极掺杂区。
5.根据权利要求4所述的具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型。
6.根据权利要求1所述的具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，所述氧化层填满所述凹陷沟槽后，在所述氧化层表面上形成一楔形凹陷结构。
7.根据权利要求1所述的具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，所述半导体基底是作为所述半导体元件的漏极。
8.根据权利要求1所述的具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，在形成所述凹陷沟槽之后，另包含有以下步骤：
于所述外延层中形成一基体掺杂区。
9.根据权利要求8所述的具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，所述基体掺杂区具有所述第一导电型。
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