[发明专利]一种可溶性酞菁化合物、其制备方法及一种有机薄膜晶体管

权利要求书

1.一种可溶性酞菁化合物，具有式（I）结构或式（II）结构：

其中，R为烷基、烷氧基或烷硫基；M为二价金属或含配体的三价以上金属。

2.根据权利要求1所述的可溶性酞菁化合物，其特征在于，所述R为直链烷基、支链烷基、直链烷氧基、支链烷氧基、直链烷硫基或支链烷硫基。

3.根据权利要求2所述的可溶性酞菁化合物，其特征在于，所述R为C₄~C₁₈的直链烷基、C₄~C₁₈的直链烷氧基或C₄~C₁₈的直链烷硫基。

4.根据权利要求3所述的可溶性酞菁化合物，其特征在于，所述R为辛基、己基、十二烷基、己氧基、辛氧基或辛硫基。

5.根据权利要求1所述的可溶性酞菁化合物，其特征在于，所述二价金属为Cu、Zn、Ni、Co或Pb；

所述含配体的三价以上金属为InCl、SbCl、MnCl、GaCl、AlCl、TiCl、TiO、VO、SnO或SnCl₂。

6.一种可溶性酞菁化合物的制备方法，包括以下步骤：

将5,6-二烷基-1,3-二氢-1,3-二亚胺基异吲哚啉、5,6-二烷氧基-1,3-二氢-1,3-二亚胺基异吲哚啉或5,6-二烷硫基-1,3-二氢-1,3-二亚胺基异吲哚啉与三乙胺、1,3,3-三氯异二氢氮杂茚在有机溶剂中混合进行反应，过滤后得到滤液；

将所述滤液与对苯二酚、甲醇钠混合，反应后得到具有式（I）结构的可溶性酞菁化合物：

其中，R为烷基、烷氧基或烷硫基。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，得到具有式（I）结构的可溶性酞菁化合物后，还包括：

将所述具有式（I）结构的可溶性酞菁化合物与二价以上金属盐在正戊醇或N-甲基吡咯烷酮中进行反应，得到具有式（II）结构的可溶性酞菁化合物：

其中，M为二价金属或含配体的三价以上金属。

8.一种有机薄膜晶体管，包括基板、设置有栅极的介电层和两端分别设置有漏电极和源电极的半导体层，所述半导体层包含权利要求1~5任一项所述的可溶性酞菁化合物或权利要求6~7任一项所述的制备方法得到的可溶性酞菁化合物；

其中，所述半导体层复合于所述介电层上，所述介电层复合于所述基板上；或者所述介电层复合于所述半导体层上，所述半导体层复合于所述基板上。

9.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的制备方法具体为：

将所述可溶性酞菁化合物配成溶液后制备薄膜，经退火、沉积电极，得到半导体层。

10.根据权利要求9所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述溶液的有机溶剂为三氯甲烷、三氯乙烷、氯苯、二氯苯、三氯苯、氯代甲苯、甲苯、二甲苯、四氢萘或三甲苯。