[发明专利]一种化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法在审
| 申请号： | 201210349842.9 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103021933A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 戴文俊 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 电镀 工艺 前晶圆 沟槽 预处理 方法 | ||
1.一种化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：其包括在化学电镀工艺前，使晶圆沟槽内充满去离子水。
2.根据权利要求1所述的化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：其包括通过去离子水超声波震荡或冲刷晶圆沟槽，使晶圆沟槽内充满去离子水。
3.根据权利要求2所述的化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：去离子水超声波震荡是将晶圆浸没于去离子水中，通过超声波震荡使晶圆沟槽内充满去离子水。
4.根据权利要求3所述的化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：该晶圆为8寸时，该超声波震荡的功率为300-600W，频率为28-40KHZ。
5.根据权利要求3所述的化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：该晶圆为12寸时，该超声波震荡的功率为600-900W，频率为28-40KHZ。
6.根据权利要求2所述的化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：去离子水冲刷晶圆沟槽是用去离子水通过喷嘴冲刷晶圆。
7.根据权利要求6所述的化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：该喷嘴出水与晶圆表面之间的夹角为10-60度。
8.根据权利要求6所述的化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：该喷嘴出水的流量为500-1000ml/min，该喷嘴口径为1/4~3/8英寸。
9.根据权利要求6所述的化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：冲刷时晶圆是旋转的。
10.根据权利要求9所述的化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法，其特征在于：该晶圆旋转的速度为400-800rpm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210349842.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：外接模块、电子装置以及驱动外接模块的方法
- 下一篇：湿法刻蚀后的清洗方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
