[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区；

在所述MOS晶体管区上方形成金属互连结构，所述金属互连结构形成于互连介质层中，包括接触孔，N-1层金属互连线以及与所述金属互连线配套的通孔；其中，N为大于等于2的正整数；

沉积并刻蚀第N层金属，以形成上表面窄下表面宽即横截面为梯形的顶层金属互连线；

沉积并刻蚀顶层互连介质层，以形成位于所述顶层金属互连线上方的环状隔离槽；

对所述环状隔离槽进行高反射率材料填充，形成环状反射隔离环。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，还包括：

对所述环状隔离槽进行高反射率材料填充后，通过反刻或化学机械抛光刻蚀暴露在所述顶层互连介质层表面的高反射率材料。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，所述顶层金属互连线环绕所述光电二极管区上方，由所述顶层金属互连线环绕的面积大于或等于所述光电二极管区的面积。

4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，所述环状隔离槽垂直相接于所述顶层金属互连线上表面。

5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，所述高反射率材料为金属、氮化硅、碳化硅、多晶硅或氮化钛。

6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，所述顶层金属互连线为环绕的正方形互连线，所述环状反射隔离环为正方形环。

7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，所述环状反射隔离环的底边宽度小于所述顶层金属互连线上表面的宽度。

8.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，

通过反应聚合物的成分比调节所述顶层金属互连线横截斜面的角度。

9.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

MOS晶体管区和光电二极管区，形成于衬底上；

金属互连结构，形成于所述MOS晶体管区上方互连介质层中，包括接触孔，金属互连线以及与所述金属互连线配套的通孔，其中，顶层金属互连线上表面窄下表面宽即横截面呈梯形；以及

环状反射隔离环，位于所述顶层金属互连线上方的顶层互连介质层中。

10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述顶层金属互连线环绕所述光电二极管区上方，由所述顶层金属互连线环绕的面积大于或等于所述光电二极管区的面积。

11.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述环状隔离环与所述顶层金属互连线上表面垂直相接。

12.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述环状反射隔离环的材料为金属、氮化硅、碳化硅、多晶硅或氮化钛。

13.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述环状反射隔离环的底边宽度小于所述顶层金属互连线上表面的宽度。