[发明专利]具有多个横向特征的声谐振器

权利要求书

1.一种薄膜体声谐振器(FBAR)，其包括：

在衬底上且在腔体上方的第一电极；

在所述第一电极上的压电层；

在所述压电层上的第二电极；

在所述第二电极上的多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构。

2.根据权利要求1所述的FBAR，其中，所述多个横向特征包括位于所述第二电极的外部区域的外部多界面架构样式，所述外部多界面架构样式包括所述多个台阶结构。

3.根据权利要求2所述的FBAR，其中，所述外部多界面架构样式被配置为反射在FBAR中激发的厚度延伸(TE)传播模式的至少一部分，增加所述FBAR的并联电阻。

4.根据权利要求2所述的FBAR，其中，所述多个台阶结构的至少一个台阶结构由介电材料形成。

5.根据权利要求2所述的FBAR，其中，所述多个台阶结构的至少一个台阶结构具有与所述多个台阶结构中的至少一个其他台阶结构的边缘不平行的边缘。

6.根据权利要求2所述的FBAR，其中，所述外部多界面架构样式沿着所述电极的一个边缘、包括与沿着所述电极的不同边缘相比不同数目的台阶结构。

7.根据权利要求2所述的FBAR，其中，所述台阶结构的各个的高度在约到约的范围内。

8.根据权利要求7所述的FBAR，其中，所述台阶结构的各个的宽度是在所述FBAR的谐振频率处激发的传播本征模式的四分之一波长的奇整数倍。

9.根据权利要求1所述的FBAR，其中，所述多个横向特征包括位于所述第二电极的中心区域的内部多界面架构样式，所述内部多界面架构样式包括多个台阶结构。

10.根据权利要求9所述的FBAR，其中，所述多个台阶结构的至少一个台阶结构由介电材料形成。

11.根据权利要求9所述的FBAR，其中，所述多个台阶结构的至少一个台阶结构具有与所述多个台阶结构中的至少一个其他台阶结构的边缘不平行的边缘。

12.根据权利要求9所述的FBAR，其中，所述台阶结构的各个的高度在约到约的范围内。

13.根据权利要求12所述的FBAR，其中，所述内部多界面架构样式被配置成抑制厚度延伸(TE)传播横向声模式的至少一部分，减小所述FBAR的串联电阻。

14.一种薄膜体声谐振器(FBAR)，其包括：

在衬底上的第一电极；

在所述第一电极上的压电层；

在所述压电层上的第二电极；

在所述第二电极的外部区域处、所述第二电极的表面上的外部多界面架构样式，所述外部多界面架构样式包括多个第一台阶结构；

在所述第二电极的中心区域处、所述第二电极的所述表面上的内部多界面架构样式，所述内部多界面架构样式包括多个第二台阶结构。

15.根据权利要求14所述的FBAR，其中，第一台阶结构的数目与第二台阶结构的数目相同。

16.根据权利要求15所述的FBAR，其中，所述第一台阶结构各自的厚度大于对应的第二台阶结构的各自的厚度。

17.根据权利要求14所述的FBAR，其中，所述第一台阶结构的数目与所述第二台阶结构的数目不同。

18.根据权利要求14所述的FBAR，其中，所述第一电极堆叠在形成于所述衬底中的腔体上方，并且

其中，所述FBAR的并联电阻随着所述第一台阶电极的厚度的增加而增加，并且所述FBAR的串联电阻随着所述第二台阶电极的厚度的增加而减小。

19.根据权利要求14所述的FBAR，其中，所述第一电极堆叠在形成于所述衬底中的声反射器上方，并且

其中，所述FBAR的并联电阻随着所述第二台阶电极的厚度的增加而增加，并且所述FBAR的串联电阻随着所述第一台阶电极的厚度的增加而减小。

20.一种体声波(BAW)谐振器，其包括：

堆叠在BAW谐振器的压电层上的电极；以及

在第二电极的外部区域处的外部多界面架构样式和在所述第二电极的中心区域处的内部多界面架构样式中的至少一者，

其中，所述外部多界面架构样式包括多个第一台阶结构，并且所述内部多界面架构样式包括多个第二台阶结构，并且

其中，所述外部多界面架构样式和所述内部多界面架构样式中一者的至少一个台阶结构由介电材料形成。