[发明专利]溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法有效
| 申请号： | 201210348342.3 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102849687A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 施伟东;刘裴;于帅;范伟强 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溶剂 合成 纳米 球状 in sub se deta 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法，其特征在于，以铟盐和硒粉为反应物，以二乙烯三胺、乙二醇为溶剂，在内衬为聚四氟乙烯的反应釜中经溶剂热反应，洗涤分离后真空干燥而成。
2.根据权利要求1所述的溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法，其特征在于，所述的溶剂热反应包括：将铟盐、硒粉置于内衬为聚四氟乙烯的反应釜中，加入二乙烯三胺和乙二醇混合溶液作为溶剂，搅拌均匀，反应溶液占所述反应釜总体积的60~80%，然后将反应釜于160~180℃反应12~24 h，冷却至室温，用无水乙醇洗涤并分离后真空干燥制得而成。
3.根据权利要求1或2所述的溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法，其特征在于，所述的铟盐和硒粉的摩尔比是2：3，所述的铟盐为水合硝酸铟、氯化铟、溴化铟中任意的一种，所述的二乙烯三胺、乙二醇的体积比为11：4，所述的真空干燥温度为60℃，干燥时间为6h。
4.根据权利要求1~3所述方法合成的纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料，其特征在于所述的纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料是由大面积的三维花状结构组成，每个花的直径在2~3 微米，花球状结构纳米片的厚度为30nm。
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