[发明专利]电子射线源产生装置及产生低剂量率电子射线的方法有效

专利信息
申请号: 201210348278.9 申请日: 2012-09-18
公开(公告)号: CN102881545A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 何子锋;朱希恺;翟光延;黄建鸣;李林繁;李景烨;盛康龙;张宇田;李德明;张海荣 申请(专利权)人: 中国科学院上海应用物理研究所
主分类号: H01J31/04 分类号: H01J31/04;H01J29/52
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 朱水平;王婧荷
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电子 射线 产生 装置 剂量率 方法
【权利要求书】:

1.一种电子射线源产生装置,用于辐照一照射面,包括一用于输出一电子射线的电子射线发生器,该电子射线从该电子射线发生器的一出射面发出,其特征在于,在该电子射线的传输路径上依次设有:

一吸收板,用于遮挡该电子射线,该吸收板上开有一用于漏射部分该电子射线的漏孔;

一扫描机构,该扫描机构用于对从该漏孔漏射的该电子射线于空气中进行扫描,使经过扫描后的该电子射线能够均匀辐照至该照射面上。

2.如权利要求1所述的电子射线源产生装置,其特征在于,该漏孔的面积Sc满足公式:

Sc=ηIbS(E)eD·SaSe]]>

其中S(E)为能量为E的电子在空气中的碰撞质量阻止本领,为该照射面所需的空气吸收剂量率,Ib为该电子射线发生器的输出流强,Se为该出射面的面积,Sa为该照射面的面积,e为单个电子的电量,η为该电子射线的利用率。

3.如权利要求2所述的电子射线源产生装置,其特征在于,该电子射线发生器的输出流强Ib<5mA。

4.如权利要求2所述的电子射线源产生装置,其特征在于,该漏孔与该出射面的距离不大于5cm。

5.如权利要求2所述的电子射线源产生装置,其特征在于,该漏孔对该照射面的张角不大于60°。

6.如权利要求2所述的电子射线源产生装置,其特征在于,该吸收板所用材料的元素的原子序数小于等于18。

7.如权利要求6所述的电子射线源产生装置,其特征在于,该吸收板的厚度大于该电子射线发生器输出的电子射线在该吸收板所用材料中的极限穿透深度。

8.如权利要求2所述的电子射线源产生装置,其特征在于,该扫描机构为至少一扫描磁铁线圈。

9.一种利用如权利要求1所述的电子射线源产生装置的产生低剂量率电子射线的方法,该方法包括以下步骤:

S1、该出射面发出该电子射线;

S2、该吸收板遮挡吸收该电子射线,该漏孔漏射部分的该电子射线;

S3、该扫描机构对从该漏孔漏射的该电子射线于空气中进行扫描,使得经过扫描后的该电子射线能够均匀辐照至该照射面上。

10.如权利要求9所述的产生低剂量率电子射线的方法,其特征在于,该漏孔与该出射面的距离不大于5cm。

11.如权利要求9所述的产生低剂量率电子射线的方法,其特征在于,该漏孔对该照射面的张角不大于60°。

12.如权利要求9所述的产生低剂量率电子射线的方法,其特征在于,该电子射线发生器的输出流强Ib根据公式

Ib=ηScS(E)eD·SaSe]]>

确定,其中S(E)为能量为E的电子在空气中的碰撞质量阻止本领,为该照射面的对应空气吸收剂量率,Sc为该漏孔的面积,Se为该出射面的面积,Sa为该照射面的面积,e为单个电子的电量,η为该电子射线的利用率。

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