[发明专利]放射线检测设备和包括该放射线检测设备的检测系统

说明书

技术领域

本发明涉及放射线检测设备和包括该设备的检测系统，其可以用作医疗图像诊断设备、非破坏性测试设备、使用放射线的分析设备等。

背景技术

在检测设备（诸如具有像素的阵列（像素阵列）的光检测设备或者放射线检测设备）的制造中使用薄膜半导体制造技术。薄膜半导体制造技术通过将开关元件（诸如薄膜晶体管（在下文中被称为TFT））与转换元件（诸如光电转换元件）结合以形成每个像素来允许有效地制造像素阵列。近年来，作为薄膜半导体制造技术的结果，可以处理多个成像模式（诸如动态（透视（fluoroscopic））成像、一般（静态）成像等）的放射线检测设备已经被公开。

一般，由于放射线检测设备（检测设备）在透视成像模式中主要需要可高速操作性并且该检测设备在静态成像模式中主要需要高信噪（S/N）比，因此可以处理多个拍摄模式的检测设备需要可高速操作性和高S/N比两者。尤其是，在使用薄膜晶体管（TFT）的大约X射线胶片尺寸的大面积检测设备中，由于用于驱动TFT的驱动布线或者用于传输来自TFT的信号的信号布线较长，因此驱动布线或者信号布线的布线电容会增大。当驱动布线或者信号布线的布线电容增大时，驱动布线或者信号布线中的信号的传输延迟可能增大。因此，在使用TFT的大面积检测设备中，可高速操作性的实现是重要议题。信号布线的布线电容的增大使噪声增大，并且S/N比可能被较大程度地减小。另外，在截止时间处在TFT中存在漏电流，并且S/N比可能被减小。因此，在使用TFT的大面积检测设备中，确保高S/N比也是重要议题。因此，为了利用使用TFT的大面积检测设备适当地处理多个成像模式，确保可高速操作性和高S/N比两者是高度期望的。

由本申请的受让人（佳能株式会社）公开的美国专利申请公开No.2006/0249763讨论了包括由与转换元件连接的TFT形成的像素的检测设备。美国专利申请公开No.2006/0249763讨论了使用多晶的半导体层作为TFT，其提供可高速操作性。美国专利申请公开No.2006/0249763还讨论了使用包括与驱动布线公共地连接的多个栅极电极的TFT（即具有多栅极结构的TFT）。因此，TFT的漏电流被抑制并且S/N比被提高。

也由本申请的受让人公开的美国专利申请公开No.2011/0006191讨论了包括多个像素、选择单元和信号布线的检测设备，该多个像素中的每一个包括具有不同的操作电阻的多个TFT和转换元件，该选择单元用于选择该多个TFT中的至少一个，该信号布线经由所选的TFT输出信号。在其中要求可高速操作性的拍摄模式中，通过使用具有低操作电阻的TFT将信号输出到信号布线。同时，在其中要求高S/N比的拍摄模式中，通过使用具有高操作电阻（换言之，低的泄漏）的TFT将信号输出到信号布线。因此，在美国专利申请公开No.2011/0006191中讨论的可适用于多个拍摄模式的使用TFT的大面积检测设备确保可高速操作性和高S/N比两者。

在美国专利申请公开No.2006/0249763中讨论的检测设备中，一个驱动布线与一行具有多栅极结构的TFT公共地连接，在其中驱动布线电容没有被减少，并且存在研究可高速操作性的余地。另外，信号布线电容没有被减少，并且噪声不能被抑制，因此存在研究高S/N比的要求的余地。在美国专利申请公开No.2011/0006191中讨论的检测设备中，由于与信号布线连接的TFT的数量较大，信号布线电容没有被抑制，并且噪声不能被抑制，因此存在研究高S/N比的要求的余地。另外，驱动布线电容没有被减少，并且存在研究其的余地。

发明内容

本发明的示例性实施例涉及可以处理多个拍摄模式并且可以通过减少与晶体管连接的信号布线和驱动布线的电容来确保可高速操作性和高S/N比两者的检测设备。