[发明专利]一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法

权利要求书

1.一种MEMS器件，由硅盖帽（12）、硅结构层（15）和硅衬底（10）经硅硅直接键合后组成，硅结构层（15）中设有可动结构，其特征在于：硅结构层（15）采用可作为导体的低阻硅片，并且直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5）以及压焊区（4），硅盖帽（12）中设置的引线通孔（13）与压焊区（4）相对应，并在压焊区（4）上溅射铝电极（14）。

2.一种MEMS器件晶圆级真空封装方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）硅衬底制作：利用光刻技术、ICP深硅刻蚀技术在硅衬底上形成浅腔，并经氧化工艺使硅衬底表面生长一定厚度的氧化层；

（2）硅盖帽制作：利用光刻工艺以及KOH腐蚀工艺形成结构浅腔以及电极引线通孔，并氧化使其表面形成一定厚度的氧化层；

（3）硅衬底与硅结构层直接键合：中间的硅结构层采用可作为导体的低阻硅片，采用硅硅直接键合工艺，将硅衬底与硅结构层直接键合；

（4）可动结构以及电互联引线的制作：利用CMP减薄抛光技术将与硅衬底键合的低阻硅片减薄到需要的厚度，通过光刻工艺获得硅结构层中的可动结构以及电互联引线图形，再利用ICP深硅刻蚀技术释放可动结构，同时刻蚀形成低阻硅电极引线两侧隔离槽；

（5）将硅盖帽与硅结构层直接键合，使硅盖帽的引线孔对准硅结构层中的电极引线压焊区；

（6）压焊区域金属化：利用掩蔽shadow mask溅射工艺在引线孔中的电互联引线压焊区上溅射金属铝，形成压焊点。