[发明专利]一种二氧化钛光催化薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201210345513.7 | 申请日: | 2012-09-18 |
公开(公告)号: | CN102864481A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 黄峰;戴丹;李朋;李艳玲 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;C23C14/35;C23C14/14 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 刘诚午 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 光催化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钛光催化薄膜,其特征在于,所述的二氧化钛光催化薄膜具有海绵状的多孔结构,其中,孔沿生长方向的长度为200nm~800nm,沿垂直于生长方向的最大宽度为10nm~300nm。
2.根据权利要求1所述的二氧化钛光催化薄膜,其特征在于,二氧化钛为锐钛矿结构。
3.根据权利要求1所述的二氧化钛光催化薄膜,其特征在于,孔沿垂直于生长方向的最大宽度为30nm~100nm。
4.根据权利要求1所述的二氧化钛光催化薄膜,其特征在于,所述的孔为圆孔,沿垂直于生长方向的最大宽度为孔的孔径。
5.根据权利要求1所述的二氧化钛光催化薄膜,其特征在于,所述的孔的生长方向与二氧化钛光催化薄膜的厚度方向一致。
6.根据权利要求1~5任一项所述的一种二氧化钛光催化薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)采用磁控溅射技术在基体上溅射沉积钛膜,磁控溅射的条件包括:本底压强为6×10-4Pa以下,Ti靶安装在阴极上,基体安装在阳极上,通入氩气,调节腔体压力为0.1Pa~1Pa,溅射Ti靶,Ti靶的功率密度为3.7w/cm2~6.2w/cm2;
(2)将步骤(1)中制备的钛膜作为阳极,石墨作为阴极,进行阳极氧化反应,电解液为氟化铵的质量百分浓度为0.5%~2%的氟化铵的有机饱和醇水溶液,有机饱和醇和水中水的体积百分比为1%~5%,恒定电压为25v~50v,得到二氧化钛薄膜;
(3)将步骤(2)中制备的二氧化钛薄膜升温至400℃~500℃并保温120min~250min,冷却,得到二氧化钛光催化薄膜。
7.根据权利要求6所述的二氧化钛光催化薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,在基体上溅射沉积钛膜时基体的温度为20℃~200℃。
8.根据权利要求6所述的二氧化钛光催化薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的基体为玻璃、硅片、陶瓷、钢铁、聚合物中的一种。
9.根据权利要求6所述的二氧化钛光催化薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的钛膜具有柱状结构,柱宽为100nm~500nm;钛膜采用X射线衍射测定的(002)面和(101)面的衍射强度分别为I(002)和I(101),且满足I(002)>I(101)。
10.根据权利要求6所述的二氧化钛光催化薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述的有机饱和醇为丙三醇或乙二醇。
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