[发明专利]一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210345503.3 申请日: 2012-09-10
公开(公告)号: CN102942215A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 肖鹏;蒙晓琴;张云怀;周明;姚建玉;李小玲;杨飞;王志峰;李晓林 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C01G19/02 分类号: C01G19/02;B82Y40/00
代理公司: 北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 代理人: 赵秉森
地址: 400030*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 基底 生长 三维 sno sub 纳米 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三维SnO2纳米花状结构材料,其特征在于,由五水四氯化锡和氢氧化钠为原料,在金属钛基底上生成的三维SnO2纳米花状材料,其中五水四氯化锡和氢氧化钠的摩尔比为1∶3~16。

2.如权利要求1所述三维SnO2纳米花状结构材料,其特征在于,五水四氯化锡和氢氧化钠的摩尔比为1∶15。

3.一种上述三维SnO2纳米花状结构材料的制备方法,其特征在于,包括以下几个步骤:

a、金属钛基底的处理:将钛片分别依次在稀盐酸、无水乙醇和去离子水中超声清洗10min~20min,将清洗晾干后的钛片作为基底;

b、前驱体溶液的配置:将一定量的氢氧化钠溶于去离子水中,待氢氧化钠完全溶解后,再将五水四氯化锡溶于配制的氢氧化钠溶液中,配制成五水四氯化锡和氢氧化钠的混合溶液;然后磁力搅拌溶液20min,其中五水四氯化锡的浓度范围为0.1mol/L~0.4mol/L,氢氧化钠的浓度范围为1.2mol/L~1.6mol/L;

c、将经过a步骤浸泡过的钛基底倾斜置于不锈钢反应釜中的聚四氟乙烯内衬中,再将b步骤的混合溶液转移到该聚四氟乙烯内衬中;

d、将不锈钢反应釜置于烘箱中,在180~200℃下反应8~24h;

e、取出反应后的钛基底,用去离子水反复洗涤,在60℃下烘干。

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