[发明专利]一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料及其应用

权利要求书

1.一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料，其特征在于所述锰掺杂钇铝石榴石单晶材料的化学组成表示式为：Y_3-yAl_5-xO₁₂:Mn_x,Ce_y，其中x的取值范围为0.01≤x≤0.12，y的取值范围为0≤y≤0.1；所述锰掺杂钇铝石榴石单晶材料通过熔体直拉法制备，制备方法包括如下步骤： 

①将原料Y₂O₃、Al₂O₃、CeO₂、MnO₂或Y₂O₃、Al₂O₃、MnO₂按化学组成准确称量，混合均匀后压块，于1100-1300℃预烧12-24h；其中确保原料Y₂O₃、Al₂O₃的纯度≥99.99%，CeO₂、MnO₂的纯度≥99.9%； 

②将预烧后的产物和籽晶转移至晶体炉中，密封后抽真空至10^-2-10^-4Pa，当炉温到达1000-1300℃时通入惰性保护气体，继续升温至设定温度，所述设定温度在1700-2000℃的范围内；晶体炉的炉温达到设定温度后，保温1-3小时，通过调节炉膛温度使原料熔化，烤籽晶，经过接种、放肩、等径、收尾等过程提拉生长锰掺杂钇铝石榴石单晶； 

③晶体生长结束以后，以20-80℃/h的速度缓慢降温，降至室温后取出晶体，得到锰掺杂钇铝石榴石单晶材料。 

2.如权利要求1所述的锰掺杂钇铝石榴石单晶材料，其特征在于：x的取值范围为0.01≤x≤0.08，y的取值范围为0≤y≤0.06。 

3.按权利要求1或2所述的锰掺杂钇铝石榴石单晶材料，其特征在于晶体生长方向为<111>方向。 

4.按权利要求1或2所述的锰掺杂钇铝石榴石单晶材料，其特征在于所述惰性保护气体为纯度大于99%的Ar或N₂。 

5.按权利要求1或2所述的锰掺杂钇铝石榴石单晶材料，其特征在于优选的设定温度在1800-1900℃的范围内。 

6.按权利要求1所述的锰掺杂钇铝石榴石单晶材料作为荧光材料与蓝光芯片匹配制备白光LED器件的应用。