[发明专利]纳米结构的后沉积包封:组合物、器件及包含它们的系统有效
申请号: | 201210344519.2 | 申请日: | 2005-06-07 |
公开(公告)号: | CN102945800A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | J.A.怀特佛德;R.部鲁尔;M.布勒堤;陈建;K.C.克鲁登;段镶锋;W.P.弗里曼;D.希尔德;F.利昂;刘超;A.麦瑟;K.S.闵;J.W.帕斯;E.西尔 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;G03F7/075;G11C13/00;H01L21/312;B82Y10/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 结构 沉积 组合 器件 包含 它们 系统 | ||
1.一种离散的涂覆纳米结构,它包含:
具有第一表面的单个纳米结构;
与单个纳米结构的第一表面缔合且具有第一光学、电学、物理或结构性质的第一涂层,其中所述第一涂层可转化成具有不同于第一涂层的光学、电学、物理或结构性质的第二涂层。
2.如权利要求1所述的涂覆纳米结构,其特征在于,第一涂层或第二涂层包封纳米结构。
3.如权利要求1所述的涂覆纳米结构,其特征在于,离散的涂覆纳米结构的直径约为2-6纳米。
4.如权利要求1所述的涂覆纳米结构,其特征在于,单个纳米结构包括纳米晶体、纳米点、纳米线、纳米棒、纳米管、量子点、纳米粒子、纳米四脚结构、纳米三脚结构、纳米双脚结构或分支的纳米结构。
5.如权利要求1所述的涂覆纳米结构,其特征在于,第二涂层包含氧化物。
6.如权利要求5所述的涂覆纳米结构,其特征在于,第二涂层包含SiO2。
7.如权利要求6所述的涂覆纳米结构,其特征在于,第一涂层包含:
包含氧化硅笼型络合物的第一组分;
包含一个或多个纳米结构结合部分的第二组分,其中,纳米结构结合部分各自独立地连接到氧化硅笼型络合物上。
8.如权利要求7所述的涂覆纳米结构,其特征在于,各纳米结构结合部分各自独立地通过氧原子连接到氧化硅笼型络合物上。
9.如权利要求7所述的涂覆纳米结构,其特征在于,氧化硅笼型络合物包括硅倍半氧烷组合物。
10.如权利要求9所述的涂覆纳米结构,其特征在于,硅倍半氧烷包括封闭的笼结构。
11.如权利要求9所述的涂覆纳米结构,其特征在于,硅倍半氧烷包括部分敞开的笼结构。
12.如权利要求9所述的涂覆纳米结构,其特征在于,硅倍半氧烷可用一个或多个硼、甲基、乙基、异丙基、异丁基、含3-22个碳原子的支链或直链烷烃、含3-22个碳原子的支链或直链烯烃、苯基、环戊基、环己基、环庚基、异辛基、降冰片基或三甲基甲硅烷基或它们的组合进行衍生。
13.如权利要求7所述的涂覆纳米结构,其特征在于,氧化硅笼型络合物包含一种或多种离散硅酸酯。
14.如权利要求13所述的涂覆纳米结构,其特征在于,离散硅酸酯包括磷硅酸酯。
15.如权利要求7所述的涂覆纳米结构,其特征在于,纳米结构结合部分包含一种或多种磷酸酯、羧酸酯、胺、次膦酸酯、膦酸酯、磺酸酯、亚磺酸酯、醇、酰胺和/或硫醇基团的质子化或去质子化形式。
16.如权利要求6所述的涂覆纳米结构,其特征在于,第一涂层选自以下结构式的:
其中R是有机基团或氢原子。
17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,R是烃基。
18.如权利要求16所述的方法,其特征在于,R是烷基、环烷基、芳基或烷基芳基。
19.如权利要求18所述的方法,其特征在于,R是异丁基、甲基、己基、环戊基或环己基。
20.如权利要求6所述的涂覆纳米结构,其特征在于,第一涂层选自以下结构式的化合物:
其中R是烷基、杂原子或吸电子基;和
其中R是卤化物。
21.如权利要求1所述的涂覆纳米结构,其特征在于,第一物理性质包括溶解度,第二电学性质包括非导电性。
22.如权利要求1所述的涂覆纳米结构,其特征在于,第一光学性质包括在第一波长的发光性,第二光学性质包含在第二波长的发光性。
23.如权利要求1所述的涂覆纳米结构,其特征在于,第一涂层受热后转变为第二涂层。
24.如权利要求1所述涂覆纳米结构,其特征在于,第一涂层受到辐射后转变为第二涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造