[发明专利]电平移位电路、集成电路装置、电子钟表

说明书

技术领域

本发明涉及电平移位电路、集成电路装置、电子钟表等。

背景技术

伴随半导体工艺的进展，需要连接以不同的电源电压进行动作的电路来交换数据。此时，为了实现逻辑电平的正确传递，使用对电压电平进行调整的电平移位电路。

例如，在整体型的MOS集成电路中，在衬底或阱区域中形成活性区域，构成MOS晶体管。另一方面，在SOI（Silicon-on-Insulator）型的MOS集成电路中，不使用阱区域，在衬底上的绝缘性薄膜上形成多个活性区域，在各个活性区域中构成MOS晶体管。

因此，SOI型的MOS集成电路与整体型的MOS集成电路的根本性差异在于元件分离，几乎不存在与衬底之间的接合电容或接合泄漏。在SOI型的情况下，与整体型相比，能够实现低电压动作、低消耗电力和高速动作。因此，在接受来自SOI型的集成电路（Integrated Circuit）装置的信号的情况下，整体型的集成电路装置利用电平移位电路对电压电平进行调整。例如，专利文献1的电平移位电路被用在输入端子中，对其输入电压的电平进行调整。

【专利文献1】日本特开2007-208714号公报

但是，在电平移位电路的输入端子与电源端子之间可能产生较大的寄生电容。此时，伴随与输入信号的电位系不同的电位系的信号的变化，蓄积在该寄生电容中的电荷可能被放电。于是，在电平移位电路的输出信号中附带有高频的尖峰噪声（脉冲状的噪声），从接受输入信号后到生成稳定的输出信号为止的响应速度变慢。

发明内容

本发明正是鉴于这种问题点而完成的。根据本发明的若干个方式，能够提供防止在输出信号中附带尖峰噪声和响应速度变慢的电平移位电路。

（1）本发明的电平移位电路将第1电位系的信号传递到电源电位差比所述第1电位系大的第2电位系，其中，该电平移位电路包括：第1电路，其接受将高电位侧即第1高电位和低电位侧即第1低电位作为电源电位的所述第1电位系的输入信号，输出作为所述第1电位系的信号的第1信号；第2电路，其生成将高电位侧即第2高电位和低电位侧即第2低电位作为电源电位的所述第2电位系的与所述输入信号对应的输出信号；以及缓冲电路，其接受所述输入信号，生成作为所述第1电位系的信号的逻辑上与所述输入信号等价的第2信号，所述第2电路包括：作为反相电路的初级反相器，其接受所述第2信号，输出第3信号；以及初级开关，其根据所述第1信号，对所述初级反相器与供给所述第2高电位的电源或供给所述第2低电位的电源之间的连接、切断进行切换，所述第2电路根据所述第3信号生成所述输出信号。

（2）在该电平移位电路中，也可以是，所述第2电路将所述第3信号反转后的信号作为所述输出信号。

这些发明的电平移位电路将第1电位系的信号传递到电源电位差比所述第1电位系大的第2电位系。电平移位电路包括：第1电路，其接受第1电位系的输入信号，输出作为第1电位系的信号的第1信号；以及第2电路，其生成第2电位系的与输入信号对应的输出信号。

这些发明的电平移位电路还包括缓冲电路，该缓冲电路接受输入信号，生成作为第1电位系的信号的逻辑上与输入信号等价的第2信号。而且，第2电路的初级反相器不接受输入信号而接受第2信号。因此，能够防止被充电至第1电路的寄生电容的电荷流入经由初级开关连接有初级反相器的电源（供给第2高电位的电源或供给第2低电位的电源）。从而能够提供防止在输出信号中附带尖峰噪声和响应速度变慢的电平移位电路。

这里，第2电路可以将第3信号反转后的信号作为输出信号。即，第3信号是在逻辑上与输入信号反转的第2电位系的信号，也可以使其反转而生成输出信号。此时，能够简化电路结构，能够减小电路规模。

另外，不需要直接使用第3信号来生成输出信号。例如，第3信号也可以被用作生成输出信号或其原信号的开关。并且，例如，还可以不仅根据第3信号而且根据第1信号来生成输出信号。

（3）在该电平移位电路中，也可以是，所述第1高电位和所述第2高电位被设为相同电位。

（4）在该电平移位电路中，也可以是，在所述输入信号为低电平的情况下，所述第2电路通过所述初级开关，将所述初级反相器从供给所述第2低电位的电源切断，在所述输入信号为高电平的情况下，所述第2电路通过所述初级开关，将所述初级反相器与供给所述第2低电位的电源连接。

（5）在该电平移位电路中，也可以是，所述第1低电位和所述第2低电位被设为相同电位。