[发明专利]一种形成具有低GIDL电流的NMOS器件的方法无效
| 申请号： | 201210343636.7 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102867755A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张冬明;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 具有 gidl 电流 nmos 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成具有低GIDL电流的NMOS器件的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：
步骤1：对晶圆进行阱注入形成P阱，对P阱进行BF2注入以调节阈值电压；
步骤2：在晶圆表面依次沉积栅极绝缘层和栅极多晶硅层，刻蚀除去多余多晶硅层形成栅极；
步骤3：在栅极的周围制备第一侧墙，形成第一侧墙后对器件进行轻掺杂形成轻掺杂源漏结构；
步骤4：在第一侧墙外围制备第二侧墙，形成第二侧墙后进行源漏注入形成源漏极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法中还包括步骤5，所述步骤5为在器件上制作金属前介质、通孔、金属插塞和金属层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述BF2注入的能量为18~22KeV。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述BF2注入量为1×1012~1×1014/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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