[发明专利]一种电子可编程熔丝器件的修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子可编程熔丝技术领域，具体涉及一种电子可编程熔丝的修正方法。

背景技术

传统的熔丝（Fuse）主要有三种：以激光烧断的金属熔丝（Laser Fuse），或是以大电流烧断的金属熔丝（Metal Fuse）和多晶硅熔丝（Poly Fuse），现有市售产品因使用激光烧断、大电流烧断等制程，往往面临不可回复性等问题，如Metal Fuse或是Poly Fuse，需以较大电流进行，将受限于烧录设备与接脚的设计；而Laser Fuse仅能在芯片封装前进行，应用范围受限，且制程的良率较低。

电子可编程熔丝（Electrically Programming Fuse，eFuse）是基于电迁移原理来进行编译的。与传统熔丝相比，电迁移特性可以生成小得多的熔丝结构，其采用的编译电压一般在2.5V，一个持续几毫秒的十几毫安直流脉冲就足以编程单根熔丝。

通常的电子可编程熔丝器件版图如图1所示，图中2和3分别为两个电极，1为两电极间的多晶硅熔丝，4为电极上的接触孔。当在两电极之间加以较高电流时，在较高的电流密度的作用下，相关原子将会沿着电子运动方向进行迁移，形成空洞，最终断路，这种现象就是电迁移现象。电子可编程熔丝器件就是利用多晶硅熔丝中的电迁移现象，使得多晶硅熔丝在熔断之前和熔断之后的电阻发生变化（通常熔断之后的电阻为熔断之前的电阻的10~1000倍），从而达到可编程的目的。

电子可编程熔丝器件的电迁移现象与多晶硅熔丝中的电流密度分布紧密相关，当多晶硅熔丝中的电流密度分布不均匀（即存在电流密度梯度）的时候，相关原子在两个电极方向上受电子风力状况不同，从而更容易发生电迁移现象，使得多晶硅熔丝更容易熔断。本发明即利用这一原理对电子可编程熔丝器件进行光学邻近修正（Optical Proximity Correction，OPC），增强电子可编程熔丝器件的熔断性能。

发明内容

鉴于对上述现有技术的改进，本发明提供了一种电子可编程熔丝器件的修正方法

一种电子可编程熔丝器件的修正方法，适用于电子可编程熔丝器件，所述电子可编程熔丝器件包括两个多晶硅电极和连接于所述电极之间的电子可编程熔丝，上述电极和电子可编程熔丝位于一基板上，其中，在电子可编程熔丝两侧增加亚解析度附加图形，所述亚解析度附加图形用于改变所述电子可编程熔丝的特征尺寸。

优选地，电子可编程熔丝器件的修正方法，其中，使用多晶硅熔丝作为所述电子可编程熔丝。

优选地，电子可编程熔丝器件的修正方法，其中，所述亚解析度附加图形的解析度低于所述电子可编程熔丝的解析度且不能被光刻机解析。

优选地，电子可编程熔丝器件的修正方法，其中，采用对称排列的方式将所述亚解析度附加图形排列于所述多晶硅熔丝两侧的基板上。

优选地，电子可编程熔丝器件的修正方法，其中，采用成排排列的方式将同侧的所述亚解析度附加图形排列于所述多晶硅熔丝的基板上。

优选地，电子可编程熔丝器件的修正方法，其中，采用预设的宽度定义同侧的所述附加图形之间的间距。

本发明的有益效果：

通过增加亚解析度附加图形，在多晶硅熔丝中形成不同的特征尺寸，从而形成不同的电流密度，增强了电子可编程熔丝的电迁移现象，进而增强了电子可编程熔丝器件的熔断性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图：

图1是通常的电子可编程熔丝器件的版图；

图2是本发明中的电子可编程熔丝器件的版图；

图3是本发明中的电子可编程熔丝器件经曝光和刻蚀工艺后的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

如图2所示为一种经修正方法改进的电子可编程熔丝器件，包括电极21和电极22以及连接在两个电极之间的多晶硅熔丝23，24为电极上的接触孔，上述部件整合在一基板上；其中，在该多晶硅熔丝23两侧的基板上增加具有亚解析度的附加图形25（Sub-resolution Assistant Feature，SRAF）。