[发明专利]一种LED芯片及制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，所述芯片包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型氮化物层、发光层、p型氮化物层和导电层，所述p型氮化物层与导电层相接触的表面上分布有坑状结构，所述坑状结构位于p型氮化物层上，所述坑状结构内覆盖具有绝缘特性的阻挡层。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述阻挡层的材料为SiN_x或SiO₂。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述坑状结构垂直方向的截面为“V”型。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述坑状结构的深度为5～50nm。

5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：形成在发光层和p型氮化物层之间的AlGaN阻挡层。

6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述缓冲层包括：第一本征氮化镓层和形成在第一本征氮化镓层之上的第二本征氮化镓层。

7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第一本征氮化镓层为在500～600℃下生长的本征氮化镓层，所述第二本征氮化镓层为在1000～1100℃下生长的本征氮化镓层。

8.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述p型氮化物层包括：镁掺杂p型氮化镓和重掺杂p型氮化铟镓。

9.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在衬底上形成缓冲层；

在缓冲层上形成n型氮化物层；

在n型氮化物层上形成发光层；

在发光层上形成p型氮化物层；

对p型氮化物层表面进行化学腐蚀，形成坑状结构；

在所述坑状结构内形成具有绝缘特性的阻挡层；

在p型氮化物层具有坑状结构的表面上形成导电层。

10.如权利要求9所述的一种LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述坑状结构内形成具有绝缘特性的阻挡层，包括：

采用蒸镀的方法在p型氮化物层表面覆盖形成具有绝缘特性的阻挡层；

采用ICP蚀刻的方法刻蚀阻挡层至暴露出p型氮化物层，并保留所述坑状结构内的阻挡层。

11.如权利要求9所述的一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为SiN_x或SiO₂。

12.如权利要求9所述的一种LED芯片的制备方法，其特征在于，在衬底上形成缓冲层，包括：

在衬底上形成第一本征氮化镓层；

在第一本征氮化镓层之上形成第二本征氮化镓层。

13.如权利要求12所述的一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一本征氮化镓层为在500～600℃下生长的本征氮化镓层，所述第二本征氮化镓层为在1000～1100℃下生长的本征氮化镓层。

14.如权利要求9所述的一种LED芯片的制备方法，其特征在于，在发光层上形成p型氮化物层，包括：

在发光层之上形成镁掺杂p型氮化镓；

在镁掺杂p型氮化镓之上形成重掺杂p型氮化铟镓。

15.如权利要求9所述的一种LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括：在发光层和p型氮化物层之间形成AlGaN阻挡层。