[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在透明基板上形成绝缘相交的扫描线和数据线，位于所述扫描线和数据线交界处与所述扫描线和数据线均相连的薄膜晶体管，以及存储电容，所述扫描线和数据线围成像素区域，所述薄膜晶体管和存储电容位于所述像素区域中；

在形成有扫描线、数据线、薄膜晶体管和存储电容的所述透明基板上形成绝缘层；

通过半透膜掩模板图案化所述绝缘层形成过孔并使所述像素区域中透光区域的绝缘层厚度小于所述数据线上的绝缘层厚度；

在所述绝缘层上形成一透明导电层，图案化所述透明导电层形成公共电极和像素电极，至少部分所述公共电极与所述数据线交叠，像素电极通过所述过孔与所述TFT的漏极相连。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过半透膜掩模板图案化所述绝缘层，使像素区域中透光区域的绝缘层的厚度为所述数据线上的绝缘层的厚度的1/3~1/2。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为有机膜，形成绝缘层的步骤包括：通过涂覆的方式形成所述有机膜。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，形成有机膜的步骤包括：涂覆的有机膜的厚度位于1500~2000nm的范围内。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在透明基板上形成扫描线、数据线和薄膜晶体管以及存储电容的步骤包括：

在透明基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层形成扫描线、栅极和存储电容的下电极；

在透明基板上形成覆盖所述扫描线、栅极和存储电容下电极的栅极介质层；

在所述栅极介质层上依次形成半导体活性层和欧姆接触层，图案化所述半导体活性层和欧姆接触层形成所述薄膜晶体管的半导体结构；

形成覆盖所述薄膜晶体管的半导体结构和所述栅极介质层的第二金属层，图案化所述第二金属层形成所述薄膜晶体管的源极和漏极、存储电容上电极以及数据线，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述半导体结构的欧姆接触层连接，所述存储电容上电极位于所述存储电容下电极上方的栅极介质层上且与所述漏极相连，所述数据线位于栅极介质层上且与所述扫描线相交。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在透明基板上形成扫描线、数据线和薄膜晶体管以及存储电容的步骤包括：

在透明基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层形成扫描线、栅极；

在透明基板上形成覆盖所述扫描线和栅极的栅极介质层；

在所述栅极介质层上依次形成半导体活性层和欧姆接触层，图案化所述半导体活性层和欧姆接触层形成所述薄膜晶体管的半导体结构；

形成覆盖所述薄膜晶体管的半导体结构和所述栅极介质层的第二金属层，图案化所述第二金属层形成所述薄膜晶体管的源极和漏极、存储电容下电极、数据线，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述半导体结构的欧姆接触层连接，所述数据线位于所述栅极介质层上且与所述扫描线相交。

7.如权利要求5或6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过半透膜掩模板图案化所述绝缘层的步骤中，所述半透膜掩模板对应于所述数据线的部分具有第一透光率，所述半透膜掩模板对应于过孔的部分具有第三透光率，所述半透膜掩模板的其他部分具有第二透光率，其中，所述第一透光率小于所述第二透光率，所述第二透光率小于所述第三透光率。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一透光率为0%，所述第二透光率为50%~66%，所述第三透光率为100%。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过半透膜掩模板图案化所述绝缘层，使数据线上的绝缘层未去除，使过孔的部分绝缘层被完全去除，使像素区域其他部分的绝缘层为数据线上绝缘层厚度的一半。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，形成像素电极的步骤包括：在过孔的底部、过孔的侧壁以及像素区域绝缘层上覆盖透光导电材料，形成像素电极。

11.如权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述像素电极的同时形成所述公共电极。