[发明专利]一种OLED封装层及其OLED器件和制备方法

权利要求书

1.一种OLED封装层，其特征在于，包括氟化镁薄膜和设置于氟化镁薄膜上的硒薄膜；所述氟化镁薄膜设置于OLED器件的阴极上。

2.根据权利要求1所述的一种OLED封装层，其特征在于，氟化镁薄膜的厚度为150-250nm；硒薄膜的厚度为5-10nm。

3.根据权利要求1所述的一种OLED封装层，其特征在于，氟化镁薄膜的厚度为200nm，硒薄膜的厚度为10nm。

4.根据权利要求1所述的一种OLED封装层，其特征在于，氟化镁薄膜真空蒸镀在和OLED器件的阴极表面；硒薄膜真空蒸镀于氟化镁薄膜表面；真空蒸镀时的气压为3×10^-3Pa。

5.根据权利要求4所述的一种OLED封装层，其特征在于，蒸镀硒薄膜、氟化镁薄膜时，蒸镀温度分别为95、900℃。

6.包括如权利要求1至5中任一项所述的OLED封装层的OLED器件，其特征在于，包括ITO导电玻璃基板和依次形成于玻璃基板上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；阴极上真空蒸镀形成有OLED封装层。

7.权利要求6所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、ITO玻璃基板的处理：先将ITO导电玻璃基板清洗干净、活化；

步骤二、OLED器件制备：将步骤一处理过的ITO导电玻璃基板，放置于有机腔体内，在气压为3×10^-3Pa的条件下，依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；

步骤三、封装层的蒸镀：蒸镀完阴极后，在阴极表面蒸镀OLED封装层，OLED封装层中氟化镁薄膜的厚度为200nm，硒薄膜厚度为10nm，其中氟化镁薄膜直接蒸镀在阴极上，硒薄膜蒸镀在氟化镁薄膜上。

8.权利要求7所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述阴极为Al阴极。