[发明专利]光子集成芯片匹配电路的三维封装装置有效
申请号: | 201210342284.3 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN102856302A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 祝宁华;王佳胜;刘建国;刘宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58;H01L23/66;H01L23/367 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光子 集成 芯片 匹配 电路 三维 封装 装置 | ||
1.一种光子集成芯片匹配电路的三维封装装置,其特征在于,包括:
一第一载体基片(1);
一第一微波传输线阵列(2),蒸镀在该第一载体基片(1)的上表面,用于给光子集成芯片提供偏置电压和高频调制信号;
一第二载体基片(3),与该第一载体基片(1)垂直或成一定角度,形成三维立体结构;
一第二微波传输线阵列(4),蒸镀在该第二载体基片(3)的下表面,且与该第一微波传输线阵列(2)的电极相匹配并进行焊接或烧结;
一电极阵列(5),蒸镀在该第二载体基片(3)的一个侧面或相对的两个侧面;以及
一微波电路(6)。
2.如权利要求1所述的光子集成芯片匹配电路的三维封装装置,其特征在于,其中该第一载体基片(1)和该第二载体基片(3)采用的材料是氮化铝、氮化铍、氧化铝、金刚石、氧化铍或碳化硅。
3.如权利要求1所述的光子集成芯片匹配电路的三维封装装置,其特征在于,其中该第一微波传输线阵列(2)和该第二微波传输线阵列(4)中的传输线单元采用的是共面波导或微带传输线。
4.如权利要求1所述的光子集成芯片匹配电路的三维封装装置,其特征在于,其中该电极阵列(5)的边缘几何尺寸与该第二微波传输线阵列(4)中的信号电极阵列相连接并过渡。
5.如权利要求1所述的光子集成芯片匹配电路的三维封装装置,其特征在于,其中该微波电路(6)是阻抗匹配电路、直流偏置电路或其他微波封装电路。
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