[发明专利]用于制备LED倒装芯片的图形化衬底无效
| 申请号： | 201210342179.X | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102832308A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;陈伟;刘慰华 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制备 led 倒装 芯片 图形 衬底 | ||
1.一种用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：它包括蓝宝石基底、沉积于所述的蓝宝石基底上表面的一层或多层半导体材料薄膜，所述的半导体材料薄膜上刻蚀形成有图形阵列，其中，所述的半导体材料薄膜的折射率介于蓝宝石衬底的折射率与GaN材料的折射率之间。
2.根据权利要求1所述的用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：所述的蓝宝石基底上表面沉积有多层半导体材料薄膜，所述的多层半导体材料薄膜相互层叠设置。
3.根据权利要求2所述的用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：所述的蓝宝石基底上表面沉积有多层半导体材料薄膜，所述的多层半导体材料薄膜是由两种半导体材料相互间隔层叠构成的超晶格结构。
4.根据权利要求1所述的用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：所述的一层或多层半导体薄膜材料的总厚度不超过1000 nm，并且小于刻蚀的深度。
5.根据权利要求4所述的用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：所述的一层或多层半导体薄膜材料的总厚度为100 nm～600 nm。
6.根据权利要求1所述的用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：所述的半导体材料包括氧化钛、氧化锌、二氧化硅、氧化镁。
7.根据权利要求1所述的用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：所述的半导体材料薄膜上刻蚀形成有锥形或柱形的图形阵列。
8.根据权利要求7所述的用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：所述的锥形图形阵列的尺寸为高度1～3 um，直径1～5 um，间距0.2～1um。
9.根据权利要求7所述的用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：所述的柱形图形阵列的尺寸为高度1～2.5 um，柱形底部直径1～5 um，间距 0.3～0.4 um。
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