[发明专利]一种自激活激光晶体磷酸三钕的制备方法有效
申请号: | 201210341573.1 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN102912435A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 李静;王继扬 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C30B29/14 | 分类号: | C30B29/14;C30B9/12;C01B25/37 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 王绪银 |
地址: | 250100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激活 激光 晶体 磷酸 制备 方法 | ||
1.一种磷酸三钕晶体的制备方法,包括步骤如下:
(1)以2N~5N氧化钕和2N~5N磷酸二氢铵为原料,按摩尔比氧化钕:磷酸二氢铵=3:2配料;助熔剂为碳酸锂与氧化钨按摩尔比为1:1~2的组合,控制溶质浓度为10-50wt%,混合均匀后放入铂金坩埚中;
(2)将铂金坩埚置于生长炉中,升温至1000℃化料,再升温至1010-1050℃,恒温24-34小时,物料充分熔化后进行搅拌;在高于熔液饱和点温度10-20℃时,下籽晶,先将籽晶置于液面上方预热,再将籽晶下入溶液中,待籽晶开始熔化时,将熔液温度降至饱和点以上1-2℃,以30-40转/每分钟的旋转速率,按正转-停-反转的循环方式旋转籽晶4小时,开始降温;降温速率按晶体生长的初期、中期、后期分段控制,初期、中期、后期每一期间各是14-16天,在生长初期降温速率为0.1-0.5℃/天,生长中期降温速率为0.5-1℃/天,生长后期降温速率为1-2℃/天,生长周期为42-48天;
(3)生长结束后,从熔液中提出晶体,以40℃/小时的降温速率降至100℃,然后自然冷却至室温;获得到了晶形完整的Nd3PO7晶体。
2.如权利要求1所述的磷酸三钕晶体的制备方法,其特征在于助熔剂为碳酸锂与氧化钨摩尔比1:2或1:1的组合。
3.如权利要求1所述的磷酸三钕晶体的制备方法,其特征在于步骤(2)的溶质浓度为20~25wt%。
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