[发明专利]一种开关电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种开关电路，特别是一种采用Bi-COMS结构的开关电路。

背景技术

开关电路是应用电子及集成电路中经常用到的电路单元。在某些集成电路中，目前大多还采用双极性晶体管技术实现开关，该种技术的开关电路的由于双极性晶体管的特性决定了该种电路的开与关的阈值区域较大，速度也不高，在集成电路中所占面积较大，制作工艺也复杂。还有采用全MOS管的集成电路的开关电路，这种全MOS管的电路虽然面积小，工艺简单，但是其开关特性还是满足不了一些要求较高的电路中。

发明内容

本发明的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种采用Bi-COMS结构的开关电路。

本发明采用的技术方案是这样的：一种开关电路，该开关电路包括第一MOS管、第二MOS管、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第四双极型晶体管、第五双极型晶体管、第六双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、恒流源和电压源。其中

上述的恒流源串接与双极型正电压源和第六双极型晶体管的集电极之间；

上述的第六双极型晶体管的源极通过第三电阻接地，基极分别与第三双极型晶体管的基极、第四双极型晶体管的基极和第五双极型晶体管的源极连接；

上述的第五双极型晶体管的集电极连接双极型正电压源，基极与第六双极型晶体管的集电极连接；

上述的第一MOS管的源极与MOS电压源连接，栅极与第一控制输入端连接，漏极分别与第一双极型晶体管的源极和第三双极型晶体管的集电极连接；

上述的第二MOS管的源极与MOS电压源连接，栅极与第二控制输入端连接，漏极分别与第二双极型晶体管的源极和第四双极型晶体管的集电极连接；

上述的电压源的负极端接地，正极端分别与第一双极型晶体管的基极和第二双极型晶体管的基极连接；

上述的第一双极型晶体管的集电极连接第一控制输出端；第二双极型晶体管的集电极连接第二控制输出端；第三双极型晶体管的源极通过第一电阻接地；第四双极型晶体管的源极通过第二电阻接地。

   作为优选，所述第一MOS管和第二MOS管均为P型MOS管。

   作为优选，所述第一MOS管和第二MOS管为参数相同的MOS管。

   作为优选，所述第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第四双极型晶体管、第五双极型晶体管、第六双极型晶体管均为NPN型双极性晶体管。

   作为优选，所述第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第四双极型晶体管的为参数相同的双极性晶体管。

   作为优选，所述第五双极型晶体管、第六双极型晶体管为参数相同的晶体管。

作为优选，所述第一电阻、第二电阻和第三电阻为参数相同的电阻。。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：该Bi-COMS结构的开关电路，其电路结构简单，在集成电路中所占面积较小，开关特性好。

附图说明

图1是本发明开关电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明作详细的说明。

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，本发明开关电路的电路原理图。一种开关电路，其采用Bi-COMS结构，该电路中包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第一双极型晶体管N1、第二双极型晶体管N2、第三双极型晶体管N3、第四双极型晶体管N4、第五双极型晶体管N5、第六双极型晶体管N6、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、恒流源JI和电压源JV。

所述第一MOS管M1和第二MOS管M2为参数相同的MOS管。在本发明中，该第一MOS管M1和第二MOS管M2采用P型的MOS管。

所述第一双极型晶体管N1、第二双极型晶体管N2、第三双极型晶体管N3和第四双极型晶体管N4的为参数相同的双极性晶体管；所述第五双极型晶体管N5和第六双极型晶体管N6为参数相同的晶体管。在本发明的技术方案中，上述六个双极性晶体管均采用NPN型。

在本发明的技术方案中，所述第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3也采用参数相同的电阻。