[发明专利]应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器无效
申请号: | 201210338837.8 | 申请日: | 2012-09-13 |
公开(公告)号: | CN102868091A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 徐晨;毛明明;许坤;孙捷;解意洋;刘久澄;邓军;朱彦旭 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/028 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 魏聿珠 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用 石墨 表面 电流 扩展 大功率 发射 激光器 | ||
1.一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,从下至上依次为下电极(10),N型衬底(2),N型分布布拉格反射镜(31),有源层(4),电流限制层(5),P型分布布拉格反射镜(32),欧姆接触层(6),石墨烯薄膜电流扩展层(7),上电极(11);其特征在于,利用外延生长的办法在N型衬底(2)上依次生长出除上下电极和石墨烯电流扩展层的各层结构。
2.如权利要求1所述的一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,其特征在于,电流限制层(5)上经由质子注入方式形成电流限制区域(51)或经由湿法氧化方式形成电流限制区域(52)。
3.如权利要求1或权利要求2所述的一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,其特征在于,N型分布布拉格反射镜(31)为多对,为折射率周期性交替变化的半导体材料组成,且厚度满足λ/4n1和λ/4n2,其中λ为激射的波长,n1和n2分别为两种材料的折射率。
4.如权利要求1或权利要求2所述的一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,其特征在于,有源层(4)为单量子阱结构,或多量子阱结构,或多有源区级联结构,或量子点发光结构。
5.如权利要求1或权利要求2所述的一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,其特征在于,P型分布布拉格反射镜(32)为多对,为折射率交替变化的半导体材料组成,且厚度满足λ/4n1和λ/4n2,其中λ为激射的波长,n1和n2分别为两种材料的折射率。
6.如权利要求5所述的一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,其特征在于,N型分布布拉格反射镜(31)的对数要高于P型分布布拉格反射镜(32)的对数2~15对,使得N侧的反射率高于P侧从而使激光从顶部发射。
7.如权利要求1所述的一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,其特征在于,欧姆接触层(6)为掺杂浓度达~1E19的P型半导体材料。
8.如权利要求1所述的一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,其特征在于,石墨烯薄膜电流扩展层(7)为单层或多层石墨烯薄膜材料。
9.如权利要求1所述的一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器,其特征在于,该大功率垂直腔面发射激光器的工作波长覆盖紫外到红外波段。
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