[发明专利]移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存器单元，包括输入端、输出端、第一时钟信号输入端、第二时钟信号输入端、低电位连接端以及复位端，其特征在于，该移位寄存器单元还包括：

第一薄膜晶体管，其第一电极连接输入端，栅极连接所述第二时钟信号输入端；

第二薄膜晶体管，其第一电极连接所述第一薄膜晶体管的第二电极，栅极连接所述复位端，第二电极连接所述低电位连接端；

第三薄膜晶体管，其第二电极连接所述输出端，第一电极连接第一时钟信号输入端，栅极连接所述第一薄膜晶体管的第二电极；

第四薄膜晶体管，其第一电极连接所述输出端，栅极连接所述复位端，第二电极连接所述低电位连接端；

第五薄膜晶体管，其栅极连接第二时钟信号输入端，第一电极连接所述输出端，第二电极连接所述低电位连接端；

电容，其连接在所述第三薄膜晶体管的栅极和第二电极之间；

其中，从所述第一时钟信号输入端输入的第一时钟信号和从所述第二时钟信号输入端输入的第二时钟信号互为周期相同的反相信号。

2.如权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管中的任意t个的第一电极为漏极，第二电极为源极，上述五个薄膜晶体管中的任意5-t个第一电极为源极，第二电极为漏极，其中，t为整数且0≤t≤5。

3.如权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管均为N型晶体管。

4.如权利要求1-3中的任一项所述的移位寄存器单元，其特征在于，采用多晶硅、非晶硅或氧化物半导体作为其中的薄膜晶体管中的半导体层的材料。

5.一种栅极驱动电路，其特征在于，包括：n个如权利要求1-4中的任一项所述的移位寄存器单元，其中：

第一个移位寄存器单元的输入端连接到起始信号输入端；

第m个移位寄存器单元的输入端连接到第m-1个移位寄存器单元的输出端，第m个移位寄存器单元的复位端连接到第m+1个移位寄存器单元的输出端，其中，m、n均为整数且1<m<n。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的栅极驱动电路。