[发明专利]一种CMOS电平移动电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种CMOS电平移动电路，尤其是一种适宜集成电路的CMOSCMOS电平移动电路。

背景技术

在一些电路中，某个或者某些器件（如触发器）的动作是要靠电平（如高低电平）进行触发进行动作的。

在高速处理电路中，对电平的产生速度和电平的转换速度要求就较高。现有的电平平移电路一般由反相器和双极型晶体管构建电路。电阻和双极型晶体管的延迟和功耗都较大，造成电平质量不高，满足不了现代高速处理电路的需求；同时在集成电路里设计该CMOS电平移动电路时，电阻器件和双极型晶体管所占的面积也较大，不利于缩小芯片尺寸和面积。

发明内容

本发明的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种MOS管的CMOS电平移动电路。

本发明采用的技术方案是这样的：一种CMOS电平移动电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。

所述第一PMOS管的源极连接电压源，漏极连接第二PMOS管的源极，栅极与第四PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第五PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极连接；第二PMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极和第二同相信号端，漏极与第一NMOS管的漏极、第六PMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极连接；第三PMOS管的源极和栅极分别连接电压源和第四PMOS管的源极；第四PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极，栅极连接第二NMOS管的栅极和第一方向信号端；第五PMOS管的源极连接电压源，漏极连接第三NMOS管的漏极和第二反相信号端；第六PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极和第一同相信号端。所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极均接地。

在上述的CMOS电平移动电路中，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管为参数相同的PMOS管，所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管为参数相同的NMOS管。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：MOS管在半导体电路中所占的面积较小且工艺成熟、响应速度高，本电路结构简单，减小电路面积，提高CMOS电平移动速度和质量，适用于集成电路。

附图说明

图1是本发明CMOS电平移动电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明作详细的说明。

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，是本发明CMOS电平移动电路的电路原理图。

一种CMOS电平移动电路，该电路有四个信号端：第一反相信号端BAR1、第二反相信号端BAR2、第一同相信号端TRUE1和第二同相信号端TRUE2；该电路包括六个PMOS管和四个NMOS管，且六个PMOS管的参数相同，四个NMOS管的参数也相同。六个PMOS管分别为：第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5和第六PMOS管P6，四个NMOS管分别为：第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4。