[发明专利]类单晶铸锭籽晶体的制作方法及类单晶铸锭的制作方法

权利要求书

1.一种类单晶铸锭籽晶体的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：

11)提供横截面晶向为[100]的整体单晶棒(1)，所述整体单晶棒(1)的表面均匀设有四条平行于其轴线的棱线(11)，将整体单晶棒(1)切割成多个小段圆柱单晶棒(2)；

12)沿经过每相邻两条所述棱线(11)的四个第一平面(12)切割所述小段圆柱单晶棒(2)，或者沿分别平行于四个所述第一平面(12)的四个第二平面(13)切割所述小段圆柱单晶棒(2)，将所述小段圆柱单晶棒(2)切割成位于中部的主体部分(3)和位于所述主体部分(3)外侧的边皮料(4)；

13)将多个所述边皮料(4)的长方形侧面(41)向下并排设置，拼接形成籽晶体(5)。

2.根据权利要求1所述的类单晶铸锭籽晶体的制作方法，其特征在于，所述步骤12)中沿分别设于四个所述第一平面(12)外侧、且对称设置的四个所述第二平面(13)切割所述小段圆柱单晶棒(2)，以使每个小段圆柱单晶棒(2)切割后形成的四个所述边皮料(4)相同，且四个所述边皮料(4)对称设于所述主体部分(3)外侧。

3.根据权利要求2所述的类单晶铸锭籽晶体的制作方法，其特征在于，所述步骤12)与所述步骤13)之间还包括步骤：

121)沿平行于所述轴线且垂直于所述长方形侧面(41)的截面切除所述边皮料(4)的两侧边缘部分。

4.根据权利要求3所述的类单晶铸锭籽晶体的制作方法，其特征在于，所述步骤121)在所述边皮料(4)的厚度大于或等于15mm处切割。

5.根据权利要求4所述的类单晶铸锭籽晶体的制作方法，其特征在于，所述步骤121)在所述边皮料(4)的厚度等于15mm处切割。

6.根据权利要求1-5任一项所述的类单晶铸锭籽晶体的制作方法，其特征在于，所述步骤11)中切割所述整体单晶棒之前还包括：

对所述整体单晶棒(1)拉直处理。

7.一种类单晶铸锭的制作方法，包括如下步骤：

a)制作类单晶铸锭籽晶体(5)；

b)熔融硅料，在熔融硅料初始结晶处放置所述类单晶铸锭籽晶体；

c)控制所述熔融硅料的结晶速度，以使熔融硅料生长成适合制作太阳能电池片的类单晶铸锭；其特征在于，

所述步骤a)中通过权利要求1-6任一项所述的制作方法获取所述类单晶铸锭籽晶体。

8.根据权利要求7所述的类单晶铸锭的制作方法，其特征在于，所述步骤c)中具体通过调整熔融硅液温度和已结晶类单晶基底散热速度来控制所述熔融硅料的结晶速度。