[发明专利]三层磁传感器中的经调校的带角度单轴各向异性有效
申请号: | 201210337348.0 | 申请日: | 2012-09-12 |
公开(公告)号: | CN102997939A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | D·V·季米特洛夫;M·W·科温顿;丁元俊 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三层 传感器 中的 调校 角度 各向异性 | ||
1.一种装置,包括被放置在空气轴承表面(ABS)上且配置有第一磁自由层和第二磁自由层的三层层叠,所述第一磁自由层和第二磁自由层均具有相对于所述ABS的带角度单轴各向异性。
2.如权利要求1所述的装置,进一步包括被放置为与所述三层层叠相邻且远离所述ABS的偏置磁体,所述偏置磁体配置有沿着与所述ABS正交的轴的偏置长度,所述偏置长度大于所述条带高度。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,每一磁自由层的带角度单轴各向异性具有不同的幅度。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一磁自由层的带角度单轴各向异性倾斜15度。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二磁自由层的带角度单轴各向异性倾斜15度。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一磁自由层的带角度单轴各向异性倾斜10度。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,每一磁自由层的带角度单轴各向异性相同。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述三层层叠具有沿着与所述ABS正交的轴的条带高度,所述条带高度大于在所述ABS处测量的所述三层层叠的层叠宽度,且小于两倍的所述层叠宽度。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,至少一个磁自由层的带角度单轴各向异性是1000Oe。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述带角度单轴各向异性基本上处于跨每一磁自由层的交轨(cross-track)方向。
11.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一磁自由层和第二磁自由层由非磁间隔层隔开。
12.一种方法,包括:
将三层层叠定位在空气轴承表面(ABS)上,所述三层层叠具有沿着与所述ABS正交的轴的条带高度;以及
用相对于所述ABS的带角度单轴各向异性配置所述三层层叠的第一磁自由层和第二磁自由层。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,每一自由层的带角度单轴各向异性分别以成第一角度和第二角度的静态倾斜沉积来形成。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,相对于所述第一磁自由层的带角度单轴各向异性选择第二角度,以响应于外部的数据位提供预先确定的隧道磁阻比。
15.如权利要求12所述的方法,其特征在于,退火至少一个磁自由层,以便将带角度单轴各向异性偏移到预先确定的角度的定向。
16.一种传感器,包括由偏置磁体偏置到预先确定的默认磁化的三层层叠,所述三层层叠具有沿着与所述ABS正交的偏置轴的条带高度,所述条带高度小于所述偏置磁体沿着所述偏置轴的偏置长度,所述三层层叠配置有第一磁自由层和第二磁自由层,所述第一磁自由层和第二磁自由层均具有以相对于所述ABS的不同角度倾斜的单轴各向异性。
17.如权利要求16所述的传感器,其特征在于,沿着ABS轴平行于所述ABS从所述第一磁自由层到所述第二磁自由层测量的第一厚度大于所述偏置磁体沿着所述ABS轴的第二厚度。
18.如权利要求17所述的传感器,其特征在于,所述偏置磁体与被放置在所述第一磁自由层和第二磁自由层之间的非磁间隔对准。
19.如权利要求16所述的传感器,其特征在于,所述偏置磁体被配置为将所述第一磁自由层和第二磁自由层设定为默认磁化。
20.如权利要求16所述的传感器,其特征在于,每一磁自由层的单轴各向异性的不同角度是余角。
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