[发明专利]超前顶峰式镇流器

说明书

技术领域

本发明涉及镇流器，更具体地说，涉及一种超前顶峰式镇流器。

背景技术

传统的超前顶峰式镇流器10的结构如图1所示，其包括T形芯柱11、L形磁轭14、一字形磁分路块13和线包12，T形芯柱11上开有漏磁孔15，两L形磁轭14对称设于芯柱两侧并与其相拼接，两磁分路块13分别横向设于T形芯柱11与L形磁轭14拼接形成的两空间内，线包12分别置于芯柱上，并由磁分路块13隔开。另外，所述的T形芯柱11、L形磁轭14、一字形磁分路块13均由相应形状的硅钢片叠置而成。此镇流器的优点是，可获得较高的开路电压，线路功率因数可达0.9。在电源电压起伏较大的情况下，对稳定灯的功率、维护灯的性能起到较好的调节作用。甚至在电源电压跌落30％～40％时还能使灯继续工作。请结合图2所示，此镇流器在使用时，磁力线在芯柱的两侧吸收较佳，而芯柱两端对磁力线不能直接吸收而处于游离状态，磁场分布不均匀，造成磁损较大。另外，由于T形芯柱11的截面为矩形，因此需绕置的线包12周长较长，不但增加了成本、而且增加了铜阻，造成能耗变大，不利于节能。

发明内容

针对现有技术中存在的上述缺点，本发明的目的是提供一种超前顶峰式镇流器，该镇流器有利于减少芯柱的磁路损失，并且降低成本。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

该超前顶峰式镇流器，包括芯柱、L形磁轭、一字形磁分路块和线包，所述的芯柱包括T形主芯柱和分设于主芯柱两侧且与其形成一体的梯形副芯柱，两L形磁轭对称设于芯柱两侧并与其相拼接，两磁分路块分别横向设于芯柱与L形磁轭拼接形成的两空间内，两线包均绕置于主副芯柱上，并由磁分路块隔开。

所述的整个芯柱由T形硅钢片相叠置而成，并且设于中部的T形硅钢片的宽度相等且最大，设于两侧部的T形硅钢片的宽度逐渐变小，设于最外侧的T形硅钢片的宽度最小，超出最外侧T形硅钢片的梯形部分形成为副芯柱。

所述的L形磁轭由相同的L形硅钢片叠置而成。

所述的一字形磁分路块由相同的一字形硅钢片叠置而成。

所述的T形主芯柱中设有漏磁孔。

在上述技术方案中，本发明的超前顶峰式镇流器包括芯柱、L形磁轭、一字形磁分路块和线包，所述的芯柱包括设有漏磁孔的T形主芯柱和分设于主芯柱两侧且与其形成一体的梯形副芯柱，两L形磁轭对称设于芯柱两侧并与其相拼接，两磁分路块分别横向设于芯柱与L形磁轭拼接形成的两空间内，两线包分别绕置于副芯柱上，并由磁分路块隔开。该镇流器通过梯形副芯柱增加芯柱两端对磁力线的吸收面，使得四周的磁力线分布更加均匀，减少磁力线游离，提高了电磁转换效率，有效降低磁损。并且，芯柱整体截面趋向于圆形，可减小绕置线包的周长，不但降低成本，而且铜阻变小，降低能耗，起到节能效果。

附图说明

图1是现有技术的超前顶峰式镇流器的结构分解示意图；

图2是现有技术的超前顶峰式镇流器的磁力线吸收示意图；

图3是本发明的超前顶峰式镇流器的装配示意图；

图4是本发明的超前顶峰式镇流器的分解示意图（无线包）；

图5是本发明的超前顶峰式镇流器的磁力线吸收示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例进一步说明本发明的技术方案。

请参阅图3、图4所示，本发明的超前顶峰式镇流器20与现有技术类似，同样也包括芯柱21、L形磁轭22、一字形磁分路块23和线包24，不同的是，所述的芯柱21包括设有漏磁孔25的T形主芯柱211和分设于主芯柱211两侧且与其形成一体的梯形副芯柱212，两L形磁轭22对称设于芯柱21两侧并与其相拼接，两磁分路块23分别横向设于芯柱21与L形磁轭22拼接形成的两空间内，线包24分别绕置于副芯柱212上，并由磁分路块23隔开。其中，所述的整个芯柱21由T形硅钢片相叠置而成，并且设于中部的T形硅钢片的宽度相等且最大（T形垂直段），设于两侧部的T形硅钢片的宽度逐渐变小（T形垂直段），设于最外侧的T形硅钢片的宽度最小（T形垂直段），如此，T形主芯柱211的平面轮廓与最外侧的T形硅钢片相同，而超出最外侧的T形硅钢片的两侧梯形部分则形成为副芯柱212。而，所述的L形磁轭22则由相同的L形硅钢片叠置而成，所述的一字形磁分路块23也由相同的一字形硅钢片叠置而成。