[发明专利]IIIA族氮化物晶体的制造方法有效
| 申请号： | 201210336715.5 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102995123A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 林昌弘;皿山正二;佐藤隆;南部洋志;木村千春;三好直哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iiia 氮化物 晶体 制造 方法 | ||
1.一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，包括：
形成IIIA族氮化物晶体的晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813，其中，
晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
2.一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，包括：
形成IIIA族氮化物晶体的晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813，其中，
晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的顶面和底面形成包含{0001}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和{10-11}面的外围的过程。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，
在晶体生长过程中，在<10-10>方向上形成IIIA族氮化物晶体的生长速率快于在<10-11>方向上形成IIIA族氮化物晶体的生长速率。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，
在晶体生长过程中，在<10-11>方向上形成IIIA族氮化物晶体的生长速率快于在<0001>方向上形成IIIA族氮化物晶体的生长速率。
5.根据权利要求1或2所述的方法，包括：
籽晶安装过程，将具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶安装到反应容器中，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813，
放入过程，将碱金属和至少包含IIIA族元素的材料放入到反应容器中，
熔融混合物形成过程，将碱金属和至少包含IIIA族元素的材料熔化，形成熔融混合物，
氮气溶解过程，将包含氮气的气体与熔融混合物接触，将氮气从气体溶解到熔融混合物中，以及
获得IIIA族氮化物晶体的晶体生长过程，通过利用熔融混合物中的氮气和IIIA族元素由籽晶生长IIIA族氮化物晶体；
其中，在籽晶安装过程中，氮化镓晶体安装在反应容器的底面以使Ga表面面朝上方。
6.根据权利要求2或4所述的方法，包括：
籽晶安装过程，将具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶安装到反应容器中，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813，
放入过程，将碱金属和至少包含IIIA族元素的材料放入到反应容器中，
熔融混合物形成过程，将碱金属和至少包含IIIA族元素的材料熔化，形成熔融混合物，
氮气溶解过程，将包含氮气的气体与熔融混合物接触，将氮气从气体溶解到熔融混合物中，以及
获得IIIA族氮化物晶体的晶体生长过程，通过利用熔融混合物中的氮气和IIIA族元素由籽晶生长IIIA族氮化物晶体；
其中，在籽晶安装过程中，氮化镓晶体安装在反应容器的底面以使N表面面朝上方。
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