[发明专利]一种射频法制备SiO2薄膜的方法

权利要求书

1.一种射频法制备SiO₂薄膜的方法，为射频磁控溅射方法，包括射频溅射的步骤，其特征在于：所述射频磁控溅射步骤中采用下述工艺参数：射频功率1.8KW，溅射时间10min。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法包括真空室抽真空的步骤，将真空室的真空度抽至6×10^-3Pa。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法包括下述工艺步骤：

①真空室抽真空：将真空室的真空度抽至6×10^-3Pa；

②按照操作规则，加热，开转架；

③按照工艺流程，送Ar气；

④采用射频溅射SiO₂靶材在基体上沉积制备SiO₂薄膜，工艺参数为：射频功率1.8KW，溅射时间10min；

⑤关闭射频电源功率输出开关，冷却。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤①真空室抽真空步骤按下述方法进行：打开水阀开关，并检查各个管路通水是否顺畅；打开机械泵；打开预抽阀，抽气抽至80Pa，打开罗茨泵，再抽气至5Pa，在抽气的过程中将分子泵的电源打开4~5分钟；关闭预抽阀，打开前级阀1分钟后，开高阀，开分子泵抽高至真空，抽至6×10^-3Pa。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述SiO₂薄膜厚度为140~160nm。

6.根据权利要求1~5所述的方法，其特征在于：在射频磁控溅射步骤中采用的SiO₂靶材包括进水口（23），出水口（24），固定螺栓（25），磁铁（26），压紧斜拉（27），石英玻璃靶材（28），法兰盘（29）、石墨板（30）和水冷铜板（31）组成，石墨板（30）覆盖在水冷铜板（31）上面并与石英玻璃靶材（28）相连接。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述基体为太阳能集热管玻璃罩管。

8.一种由权利要求7所述方法制备的太阳能集热管玻璃罩管。

9.根据权利要求8所述的太阳能集热管玻璃罩管，其特征在于：所述太阳能集热管玻璃罩管上SiO₂薄膜的厚度为140~160nm。