[发明专利]发光二极管无效
申请号: | 201210335502.0 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN103681725A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 段忠;郑兆祯;施逸丰 | 申请(专利权)人: | 旭明光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:
一第一发光二极管晶粒、一第二发光二极管晶粒以及一第三发光二极管晶粒,其分别具有一第一半导体层、一第二半导体层以及设置于该第一半导体层以及该第二半导体之间的一多重量子井层,该第二发光二极管设置在该第一发光二极管晶粒以及该第三发光二极管晶粒之间;以及
其中,该第一发光二极管晶粒的第一半导体层与该第二发光二极管晶粒的第二半导体层相耦接,该第二发光二极管晶粒的第一半导体层与该第三发光二极管晶粒的第一与第二半导体层相耦接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒之间以及该第二发光二极管晶粒与该第三发光二极管晶粒之间有一第一绝缘部,每一第一绝缘部开设有一通孔。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:还包括有一第一电极结构以及一第二电极结构,该第一电极结构经由该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒间的通孔与该第一发光二极管晶粒的第一半导体层以及该第二发光二极管晶粒的第二半导体层连接,该第二电极结构经由该第二发光二极管晶粒与该第三发光二极管晶粒间的通孔与该第二发光二极管晶粒的第一半导体层以及该第三发光二极管晶粒的第二半导体层连接。
4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于:该第一电极结构还包括有一第一电极部以及一第二电极部,该第一电极部形成于该第一发光二极管晶粒的第一半导体层上,该第二电极部连接该第二发光二极管晶粒的第二半导体层且经由通孔与该第一电极部连接,该第二电极结构具有一第三电极部以及一第四电极部,该第三电极部形成于该第二发光二极管晶粒以及该第三发光二极管晶粒的第一半导体层上,该第四电极部连接该第三发光二极管晶粒的第二半导体层且经由对应的通孔与该第三电极部连接。
5.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于:第一发光二极管晶粒的第二半导体层还连接有一第五电极部,其凭借一第二绝缘部与该第二电极部相绝缘。
6.根据权利要求5所述的发光二极管,其特征在于:该第五电极部,其还连接有一第一金属合金部,该第四电极部还连接有一第二金属合金部,该第一金属合金部与该第二金属合金部凭借一第一凹槽相互绝缘。
7.根据权利要求6所述的发光二极管,其特征在于:该第一金属合金部与该第二金属合金部之间具有一第三绝缘部。
8.根据权利要求7所述的发光二极管,其特征在于:该第三绝缘部对应该第二金属合金部上具有一第二凹槽,其与该第一凹槽相错位。
9.根据权利要求6所述的发光二极管,其特征在于:该第一金属合金部与该第二金属合金部的表面还具有一保护层。
10.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:该通孔的宽度小于1000μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的