[发明专利]发光二极管无效

专利信息
申请号: 201210335502.0 申请日: 2012-09-11
公开(公告)号: CN103681725A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 段忠;郑兆祯;施逸丰 申请(专利权)人: 旭明光电股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种发光二极管,其特征在于,包括:

一第一发光二极管晶粒、一第二发光二极管晶粒以及一第三发光二极管晶粒,其分别具有一第一半导体层、一第二半导体层以及设置于该第一半导体层以及该第二半导体之间的一多重量子井层,该第二发光二极管设置在该第一发光二极管晶粒以及该第三发光二极管晶粒之间;以及

其中,该第一发光二极管晶粒的第一半导体层与该第二发光二极管晶粒的第二半导体层相耦接,该第二发光二极管晶粒的第一半导体层与该第三发光二极管晶粒的第一与第二半导体层相耦接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒之间以及该第二发光二极管晶粒与该第三发光二极管晶粒之间有一第一绝缘部,每一第一绝缘部开设有一通孔。

3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:还包括有一第一电极结构以及一第二电极结构,该第一电极结构经由该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒间的通孔与该第一发光二极管晶粒的第一半导体层以及该第二发光二极管晶粒的第二半导体层连接,该第二电极结构经由该第二发光二极管晶粒与该第三发光二极管晶粒间的通孔与该第二发光二极管晶粒的第一半导体层以及该第三发光二极管晶粒的第二半导体层连接。

4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于:该第一电极结构还包括有一第一电极部以及一第二电极部,该第一电极部形成于该第一发光二极管晶粒的第一半导体层上,该第二电极部连接该第二发光二极管晶粒的第二半导体层且经由通孔与该第一电极部连接,该第二电极结构具有一第三电极部以及一第四电极部,该第三电极部形成于该第二发光二极管晶粒以及该第三发光二极管晶粒的第一半导体层上,该第四电极部连接该第三发光二极管晶粒的第二半导体层且经由对应的通孔与该第三电极部连接。

5.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于:第一发光二极管晶粒的第二半导体层还连接有一第五电极部,其凭借一第二绝缘部与该第二电极部相绝缘。

6.根据权利要求5所述的发光二极管,其特征在于:该第五电极部,其还连接有一第一金属合金部,该第四电极部还连接有一第二金属合金部,该第一金属合金部与该第二金属合金部凭借一第一凹槽相互绝缘。

7.根据权利要求6所述的发光二极管,其特征在于:该第一金属合金部与该第二金属合金部之间具有一第三绝缘部。

8.根据权利要求7所述的发光二极管,其特征在于:该第三绝缘部对应该第二金属合金部上具有一第二凹槽,其与该第一凹槽相错位。

9.根据权利要求6所述的发光二极管,其特征在于:该第一金属合金部与该第二金属合金部的表面还具有一保护层。

10.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:该通孔的宽度小于1000μm。

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