[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 201210335256.9 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN103165643B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 瓦列里·布鲁辛斯奇;玄元植;罗兴烈;金旻首;崔凡洛 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
示例性实施例描述的技术总体上涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器具有自发射特性,因此,不同于液晶显示器,有机发光二极管(OLED)显示器不需要单独的光源。因此,OLED显示器可以厚度薄(纤薄)且重量轻。另外,因为OLED显示器具有诸如低功耗、高亮度、快速反应时间等高品质特性,所以OLED显示器作为便携式电子装置的下一代显示器而引起重视。
有机发光二极管(OLED)显示器包括多个有机发光元件(有机发光二极管),所述有机发光元件具有空穴注入电极、有机发射层以及电子注入电极。电子和空穴在有机发射层内结合产生激子,通过激子从激发态降至基态时产生的能量而产生光,从而OLED显示器显示图像。
然而,有机发射层对外部因素(诸如水分或氧)敏感(与所述外部因素起反应)。因此,如果有机发射层暴露于水分或氧,则有机发光二极管(OLED)显示器的质量劣化。因此,为了保护有机发光元件并且为了防止水分或氧渗透到有机发射层中,通过密封工艺将包封基底与形成有有机发光元件的基底结合并密封,或者在有机发光元件上形成薄膜包封层。
然而,水分或氧仍然会通过包封构件和基底连接处的连接界面渗透,并且问题在于,为了防止这种渗透,必须增大密封区域的尺寸(宽度)。如果密封区域增大(变宽),则在有机发光二极管(OLED)显示器中不必要地增大了非显示区域。
在该背景部分中公开的上述信息仅意在增强对所描述技术的背景的理解,因此,它可能包含对本领域普通技术人员而言未形成在本国已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施例的多个方面针对一种形成有有机发光元件的内部空间被密封的有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
本发明的实施例的多个方面针对一种具有容易的制造工艺同时有效地抑制水分和/或氧的渗透的有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
根据一个示例性实施例,一种有机发光二极管(OLED)显示器包括:基底;包封构件;有机发光元件,位于基底与包封构件之间;中间密封构件,包括位于基底和包封构件之间的一侧以及从所述一侧延伸而弯曲并且包围包封构件的边缘的另一侧;第一密封剂,将中间密封构件的一侧和基底密封并且结合到彼此;第二密封剂,将中间密封构件的另一侧和包封构件密封并且结合到彼此;吸气剂,位于中间密封构件的一侧与包封构件之间。
吸气剂可以被定位为比第一密封剂更靠近有机发光元件。
吸气剂可以维持基底与包封构件之间的空间的真空状态。
根据另一示例性实施例,一种有机发光二极管(OLED)显示器包括:基底;包封构件;有机发光元件,位于基底与包封构件之间;中间密封构件,具有湾状结构,并且具有面朝有机发光元件的开口,中间密封构件包括面向基底的一侧和面向包封构件的另一侧;第一密封剂,将中间密封构件的一侧和基底密封并且结合到彼此;第二密封剂,将中间密封构件的另一侧和包封构件密封并且结合到彼此;吸气剂,填充在中间密封构件的一侧与中间密封构件的另一侧之间。
吸气剂可以被定位为比第一密封剂和第二密封剂更靠近有机发光元件。
吸气剂可以维持基底与包封构件之间的空间的真空状态。
一种根据一个示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法包括:在基底上形成有机发光元件;利用第一密封剂将中间密封构件的一侧密封并结合到基底;在中间密封构件上涂覆吸气剂;在吸气剂上设置包封构件;在包封构件上涂覆第二密封剂;使从中间密封构件的一侧延伸的中间密封构件的另一侧弯曲以包围包封构件的边缘,并且通过第二密封剂使中间密封构件的另一侧和包封构件密封并且结合。
吸气剂可以被定位为比第一密封剂更靠近有机发光元件。
吸气剂可以维持基底与包封构件之间的空间的真空状态。
可以在液体状态下涂覆吸气剂。
中间密封构件可以被弯曲为具有“L”形状的结构,并且中间密封构件的一侧是“L”形状结构的底侧,该底侧通过第一密封剂与基底结合。
一种根据另一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法包括:在基底上形成有机发光元件;在基底上涂覆第一密封剂;形成具有“U”形的湾状结构的中间密封构件;用吸气剂填充限定中间密封构件的开口的中间密封构件的一侧与中间密封构件的另一侧之间的空间;通过利用第一密封剂将中间密封构件的一侧密封并结合到基底;在中间密封构件的另一侧上涂覆第二密封剂;通过利用第二密封剂将中间密封构件的另一侧密封并结合到包封构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的