[发明专利]红外有机电致发光二极管无效
申请号: | 201210334452.4 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN102832351A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 刘亚伟;杨流洋;冯惺 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 有机 电致发光 二极管 | ||
1.一种红外有机电致发光二极管,其特征在于,包括:透光基板、设于透光基板上的阳极、设于阳极上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的空穴阻挡层、设于空穴阻挡层上的电子传输层及设于电子传输层上的阴极,所述发光层为红外发光层。
2.如权利要求1所述的红外有机电致发光二极管,其特征在于,所述红外发光层为三价稀土离子配合物层、窄带隙有机聚合物层、有机离子染料层、卟啉层或酞菁层。
3.如权利要求2所述的红外有机电致发光二极管,其特征在于,所述红外发光层上均布有数个像素点,每一像素包括一个红外子像素点,每一像素点均由TFT电路驱动。
4.如权利要求1所述的红外有机电致发光二极管,其特征在于,所述透光基板为玻璃基板。
5.如权利要求1所述的红外有机电致发光二极管,其特征在于,所述阳极为形成于透明基板上的氧化铟锡;所述空穴传输层为N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺层或N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺层;所述空穴阻挡层为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯层或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲层;所述电子传输层为掺杂8-羟基喹啉铝层;所述阴极为铝或银。
6.如权利要求1所述的红外有机电致发光二极管,其特征在于,所述透光基板为柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯基板或柔性不锈钢箔。
7.如权利要求6所述的红外有机电致发光二极管,其特征在于,还包括设于阳极与透光基板之间的第一保护层及设于阴极上的第二保护层。
8.如权利要求7所述的红外有机电致发光二极管,其特征在于,所述第一保护层为聚合物层与无机致密截止层的交替结构层。
9.如权利要求8所述的红外有机电致发光二极管,其特征在于,所述聚合物层为聚对二甲苯层、聚烯层、聚酯层或聚酰亚胺层。
10.如权利要求7所述的红外有机电致发光二极管,其特征在于,所述第二保护层为二氧化钛层、二氧化硅层、三氧化二铝层、氮化硅层、氮氧化硅层碳氧化硅层或类金刚石薄膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择