[发明专利]带隙基准电压发生器

权利要求书

1.一种带隙基准电压发生器，包括：

不同电流密度的正向偏置的第一和第二PN结元件；

在第一节点和第二节点之间的第一电流传导路径，包括串联连接在所述第一节点和第三节点之间的多个第一电阻元件以及串联连接在所述第三节点和所述第二节点之间的所述第一PN结元件，其中所述第一电阻元件连接成分压器构造；

抽头，通过开关元件选择性连接到所述第一电阻元件，其中所述开关元件能控制来选择所述抽头处的分压比；

在所述第一和第二节点之间的第二电流传导路径，包括串联连接在所述第一节点和第四节点之间的第二电阻元件以及串联连接在所述第四节点和所述第二节点之间的所述第二PN结元件；

电压误差放大器，具有连接到所述抽头的第一输入、连接到所述第四节点的第二输入、以及用于提供热补偿输出电压的输出；以及

反馈路径，用于将所述输出电压应用到与所述第一和第二节点串联连接的第三电阻元件。

2.如权利要求1所述的带隙基准电压发生器，其中，所述PN结元件包括具有发射极、基极和集电极区域的双极结晶体管，所述基极区域连接到所述集电极区域，相应的正向偏置的基极-发射极结与所述第一和第二电流传导路径串联连接。

3.如权利要求1所述的带隙基准电压发生器，其中，所述多个第一电阻元件包括多个电阻调节元件和串联连接所述电阻调节元件的多个连接器元件，且其中所述开关元件能控制来将所述抽头与相应的连接器元件选择性连接并选择所述抽头处所述分压比的值，该值能关于中值双向设置。

4.如权利要求1所述的带隙基准电压发生器，还包括控制器，用于控制所述开关元件以选择和设置所述抽头处的所述分压比。

5.如权利要求4所述的带隙基准电压发生器，其中，所述控制器包括调节寄存器和连接到该调节寄存器的解码器。

6.如权利要求1所述的带隙基准电压发生器，其中，正向偏置的所述第一PN结元件具有比正向偏置的所述第二PN结元件更小的电流密度，所述多个第一电阻元件给出比所述第二电阻元件更大的电阻。

7.如权利要求1所述的带隙基准电压发生器，其中，所述电压误差放大器的所述第一输入是倒相输入，所述电压误差放大器的所述第二输入是非倒相输入。

8.一种制造带隙基准电压发生器的方法，该带隙基准电压发生器具有：不同电流密度的正向偏置的第一和第二PN结元件；在第一节点和第二节点之间的第一电流传导路径，包括串联连接在所述第一节点和第三节点之间的多个第一电阻元件以及串联连接在所述第三节点和所述第二节点之间的所述第一PN结元件；在所述第一节点和所述第二节点之间的第二电流传导路径，包括串联连接在所述第一节点和第四节点之间的第二电阻元件以及串联连接在所述第四节点和所述第二节点之间的所述第二PN结元件，所述方法包括：

将所述第一电阻元件连接成分压器构造，一抽头通过开关元件选择性连接到所述第一电阻元件；

控制所述开关元件以选择所述抽头处的分压比；

提供电压误差放大器，该电压误差放大器具有连接到所述抽头的第一输入、连接到所述第四节点的第二输入、以及用于提供热补偿输出电压的输出；以及

提供反馈路径，该反馈路径用于将所述输出电压应用到与所述第一和第二节点串联连接的第三电阻元件。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述PN结元件包括具有发射极、基极和集电极区域的双极结晶体管，所述基极区域连接到所述集电极区域，相应的基极-发射极结被正向偏置且与所述第一和第二电流传导路径串联连接。

10.如权利要求8所述的方法，其中，所述多个第一电阻元件包括多个电阻调节元件，将所述第一电阻元件连接成分压器构造包括用多个连接器元件串联连接所述电阻调节元件，并且将所述开关元件连接在各个所述连接器元件与所述抽头之间，且

控制所述开关元件包括通过所述开关元件之一选择性连接所述抽头和相应的连接器元件以选择所述抽头处的所述分压比的值，该值能关于中值双向设置。