[发明专利]LED磊晶制程有效
| 申请号： | 201210334114.0 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103682005A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;黄世晟;凃博闵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 磊晶制程 | ||
1.一种LED磊晶制程，包括以下的步骤：
提供基板，在所述基板的表面上生长缓冲层；
在第一温度下，在缓冲层的表面生长第一磊晶层；
在低于第一温度的第二温度下，在第一磊晶层的表面生长第二磊晶层，从而使第二磊晶层的表面粗糙化；
蚀刻第二磊晶层和第一磊晶层，直至将第二磊晶层的粗糙表面复刻至第一磊晶层；
在第一磊晶层的粗糙表面沉积二氧化硅层；
蚀刻二氧化硅层的顶面直至暴露出第一磊晶层，以形成多个凸起；以及
在第一磊晶层上依次成长N型磊晶层、发光层以及P型磊晶层。
2.如权利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述第一温度的温度范围为1100℃-1300℃。
3.如权利要求2所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述第二温度的温度范围为500℃-600℃。
4.如权利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，在形成多个凸起之后，进一步在第一磊晶层以及二氧化硅层的表面形成覆盖层，然后再在覆盖层上依次成长所述N型磊晶层、所述发光层以及所述P型磊晶层，所述覆盖层在第一温度下生长。
5.如权利要求4所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述覆盖层为氮化铝薄膜层。
6.如权利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述凸起的直径为2微米到3微米。
7.如权利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述凸起与凸起之间形成有间隙，所述间隙的大小位于1微米到2微米之间。
8.如权利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述基板为蓝宝石基板，所蓝宝石基板的顶面形成有多个凸起。
9.如权利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述基板为蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的顶面为平坦的表面。
10.如权利要求1所述的LED磊晶制程，其特征在于，所述N型磊晶层、发光层以及P型磊晶层的制作材料选自GaN、AlGaN、InGaN以及AlInGaN其中之一。
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