[发明专利]高压结场效晶体管

权利要求书

1.一种高压结场效晶体管，包括：

一衬底；

一漏极，设置于该衬底之上；

一源极，设置于该衬底之上，该源极及该漏极之间形成一通道；以及

一P型顶层，设置于该通道之上。

2.根据权利要求1所述的高压结场效晶体管，更包括：

二栅极，设置于该通道的两侧。

3.根据权利要求1所述的高压结场效晶体管，其中该衬底为P型，该高压晶体管更包括：

一N型阱，设置于该衬底上，该源极及该漏极设置于该N型阱内；以及

二P型阱，设置于该N型阱的两侧。

4.根据权利要求3所述的高压结场效晶体管，其中该P型顶层设置于该N型阱上。

5.根据权利要求3所述的高压结场效晶体管，其中该二P型阱相互连接。

6.根据权利要求3所述的高压结场效晶体管，其中该二P型阱沿一环状线排列，该环状线环绕该N型阱。

7.根据权利要求6所述的高压结场效晶体管，其中该漏极位于该环状线的几何中心点。

8.根据权利要求6所述的高压结场效晶体管，其中该源极位于该环状线之外。

9.根据权利要求6所述的高压结场效晶体管，其中该二P型阱沿该环状线排列且连接成一C字形结构，该C字形结构具有一缺口，该P型顶层位于该缺口。

10.根据权利要求9所述的高压结场效晶体管，其中该源极位于该缺口之外。