[发明专利]一种低功耗异或/同或门电路有效
| 申请号： | 201210333397.7 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102857217A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 胡建平;陈金丹;杨丹 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 程晓明 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 门电路 | ||
1.一种低功耗异或/同或门电路，其特征在于：包括输入反相器模块、互补传输管逻辑模块和差分串联电压开关逻辑模块，所述的输入反相器模块包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管，所述的互补传输管逻辑模块包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述的差分串联电压开关逻辑模块包括第三PMOS管和第四PMOS管，所述的第一PMOS管的源极、所述的第二PMOS管的源极、所述的第三PMOS管的源极及所述的第四PMOS管的源极均与电源正端相连接，所述的第一NMOS管的源极和所述的第二NMOS管的源极均接地，所述的第一PMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的栅极、所述的第四NMOS管的源极及所述的第六NMOS管的源极均与第一信号输入端相连接，所述的第二PMOS管的栅极、所述的第二NMOS管的栅极、所述的第三NMOS管的栅极及所述的第六NMOS管的栅极均与第二信号输入端相连接，所述的第一PMOS管的漏极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的源极及所述的第五NMOS管的源极四者相连接，所述的第二PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的栅极及所述的第五NMOS管的栅极四者相连接，所述的第三NMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的漏极、所述的第三PMOS管的漏极及所述的第四PMOS管的栅极均与第一信号输出端相连接，所述的第五NMOS管的漏极、所述的第六NMOS管的漏极、所述的第四PMOS管的漏极及所述的第三PMOS管的栅极均与第二信号输出端相连接。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗异或/同或门电路，其特征在于：所述的第一PMOS管的沟道长度、所述的第二PMOS管的沟道长度、所述的第三PMOS管的沟道长度、所述的第四PMOS管的沟道长度、所述的第一NMOS管的沟道长度、所述的第二NMOS管的沟道长度、所述的第三NMOS管的沟道长度、所述的第四NMOS管的沟道长度、所述的第五NMOS管的沟道长度及所述的第六NMOS管的沟道长度均为标准工艺下最小沟道长度的1.02~1.07倍。
3.根据权利要求1所述的一种低功耗异或/同或门电路，其特征在于：所述的电源正端的工作电压值为标准电压值的0.67~0.75倍。
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